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NIS4461MT3TXG

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  • 广州市睿科电子科技有限公司
    广州市睿科电子科技有限公司

    联系人:曾小姐/汤小姐

    电话:1597539812513660603466

    地址:花都区秀全街花港大道87号5楼

  • 2955

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  • 21+

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  • 只做原装,优势渠道 ,欢迎实单联系

  • NIS4461MT3TXG
    NIS4461MT3TXG

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  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:13714291754

    地址:广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层

  • 4800

  • onsemi

  • 10-WFDFN

  • 22+

  • -
  • NIS4461MT3TXG
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  • 深圳市恒科翔业电子有限公司
    深圳市恒科翔业电子有限公司

    联系人:

    电话:0755-8323836017302646294

    地址:华强北路华强广场B座27D

  • 24000

  • ON/安森美

  • 22+

  • -
  • 原装正品现货,实单可谈,量大价优

  • NIS4461MT3TXG
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  • 深圳市轩盛达电子有限公司
    深圳市轩盛达电子有限公司

    联系人:

    电话:1588932848313924772445

    地址:深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103

  • 10000

  • -
  • 原厂原装现货,代找紧缺料

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NIS4461MT3TXG 技术参数
  • NIS1050MNTBG 功能描述:接口 - 专用 PROTECTION IC FOR PMIC RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品类型:1080p60 Image Sensor Receiver 工作电源电压:1.8 V 电源电流:89 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:BGA-59 NIMD6001ANR2G 功能描述:MOSFET 60V 3.3A 130 MOHM DUAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NIF62514T3G 功能描述:MOSFET 42V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NIF62514T1G 功能描述:MOSFET 42V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NIF62514T1 功能描述:MOSFET 42V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NIS5112D1R2G1 NIS5112D2R2G NIS5132-35GEVB NIS5132MN1-FN-7 NIS5132MN1TXG NIS5132MN2-FN-7 NIS5132MN2TXG NIS5132MN3TXG NIS5135MN1-FN-7 NIS5135MN1TXG NIS5135MN2-FN-7 NIS5135MN2TXG NIS5232-35GEVB NIS5232MN1TXG NIS5431MT1GEVB NIS5431MT1TXG NIS5452MT1GEVB NIS5452MT1TWG
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