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NIS5020MT2TXG

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  • NIS5020MT2TXG
    NIS5020MT2TXG

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-62962871629687318256329162961347

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质：营业执照

  • 5000

  • ON Semiconductor

  • 10-WDFN（3x3）

  • 21+

  • -

  • 全新原装、现货库存，欢迎询价

  • NIS5020MT2TXG
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  • 北京耐芯威科技有限公司
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    联系人：刘先生

    电话：010-62962871629687318256329162961347

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质：营业执照

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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人：王小姐

    电话：13305449939

    地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

  • 1899

  • ONSEMI

  • NA

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  • 查价格、订购可到京北通宇商城www.jb...

  • NIS5020MT2TXG
    NIS5020MT2TXG

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  • 北京京华特科技有限公司
    北京京华特科技有限公司

    联系人：张小姐/韩先生

    电话：010-86398446-8061581080972213911315253

    地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室

  • 2774

  • ONSEMI

  • N/A ㊣品

  • N/A 原装进口

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  • 深圳市铭昌源科技有限公司
    深圳市铭昌源科技有限公司

    联系人：优质现货代理商

    电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生

    地址：深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室

    资质：营业执照

  • 12871

  • ON Semiconductor

  • SMD

  • 22+

  • -

  • 优势代理，公司现货可开票

  • NIS5020MT2TXG
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  • 万三科技（深圳）有限公司
    万三科技（深圳）有限公司

    联系人：王俊杰

    电话：188185984650755-23763516

    地址：深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C

  • 6500000

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  • 22+

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  • 万三科技 秉承原装 实单可议

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  • 万三科技（深圳）有限公司
    万三科技（深圳）有限公司

    联系人：张国龙

    电话：177226252410755-21008751

    地址：深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C

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  • ON Semiconductor

  • 原厂原装

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  • 万三科技 秉承原装 实单可议

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NIS5020MT2TXG 技术参数
  • NIS1050MNTBG 功能描述:接口 - 专用 PROTECTION IC FOR PMIC RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品类型:1080p60 Image Sensor Receiver 工作电源电压:1.8 V 电源电流:89 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:BGA-59 NIMD6001ANR2G 功能描述:MOSFET 60V 3.3A 130 MOHM DUAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NIF62514T3G 功能描述:MOSFET 42V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NIF62514T1G 功能描述:MOSFET 42V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NIF62514T1 功能描述:MOSFET 42V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NIS5112D1R2G1 NIS5112D2R2G NIS5132-35GEVB NIS5132MN1-FN-7 NIS5132MN1TXG NIS5132MN2-FN-7 NIS5132MN2TXG NIS5132MN3TXG NIS5135MN1-FN-7 NIS5135MN1TXG NIS5135MN2-FN-7 NIS5135MN2TXG NIS5232-35GEVB NIS5232MN1TXG NIS5431MT1GEVB NIS5431MT1TXG NIS5452MT1GEVB NIS5452MT1TWG
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