NLV25T-012J-12N

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NLV25T-012J-12N 技术参数

NLV25T-010J-PF 功能描述:10nH Unshielded Wirewound Inductor 530mA 260 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:10nH 容差:±5% 额定电流:530mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:260 毫欧最大不同频率时的 Q 值:15 @ 100MHz 频率 - 自谐振:2.15GHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.075"（1.90mm）标准包装:1 NLV25T-010J-EFD 功能描述:10nH Unshielded Wirewound Inductor 530mA 260 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:10nH 容差:±5% 额定电流:530mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:260 毫欧最大不同频率时的 Q 值:15 @ 100MHz 频率 - 自谐振:2.15GHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.075"（1.90mm）标准包装:1 NLV25T-010J-EF 功能描述:10nH Unshielded Wirewound Inductor 530mA 260 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EF 包装:剪切带（CT）零件状态:停产类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:10nH 容差:±5% 额定电流:530mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:260 毫欧最大不同频率时的 Q 值:15 @ 100MHz 频率 - 自谐振:2.15GHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.075"（1.90mm）标准包装:1 NLV17SZU04DFT2G 功能描述:变换器 1.65-5.5V CMOS Dual Single Unbuffered RoHS:否制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube NLV17SZ74USG 功能描述:触发器 D FLIP FLOP RoHS:否制造商:Texas Instruments 电路数量:2 逻辑系列:SN74 逻辑类型:D-Type Flip-Flop 极性:Inverting, Non-Inverting 输入类型:CMOS 输出类型: 传播延迟时间:4.4 ns 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:X2SON-8 封装:Reel NLV25T-018J-EFD NLV25T-018J-PF NLV25T-018J-PFD NLV25T-022J-EF NLV25T-022J-EFD NLV25T-022J-PF NLV25T-022J-PFD NLV25T-027J-EF NLV25T-027J-EFD NLV25T-027J-PF NLV25T-027J-PFD NLV25T-033J-EF NLV25T-033J-EFD NLV25T-033J-PF NLV25T-033J-PFD NLV25T-039J-EF NLV25T-039J-EFD NLV25T-039J-PF