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数量
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批号
价格
说明
操作

NLV27WZ00USG
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008-1009室
资质：营业执照
5000
ON Semiconductor
标准封装
16+
-
假一罚十，原装正品

NLV27WZ00USG
万三科技（深圳）有限公司
万三科技（深圳）有限公司
联系人：王小康
电话：181886423070755-21006672
地址：深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C
6500000
ON Semiconductor
原厂原装
22+
-
万三科技秉承原装实单可议

NLV27WZ00USG
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
ON(安森美)
US8
刚到货
-
代理可含税开票

NLV27WZ00USG
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
6000
ON
QFN
21+
-
原装现货

NLV27WZ00USG
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
3000
ON SEMICONDUCTOR
主营优势
1909
-
100%原装正品★终端免费供样★

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1

您是不是要找： NLV27WZ04DFT1G NLV27WZ04DFT2G NLV27WZ06DFT2G NLV27WZ07DFT2G NLV27WZ08USG NLV27WZ125USG NLV27WZ126USG NLV27WZ14DFT2G NLV27WZ16DFT2G

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NLV27WZ00USG 技术参数

NLV25T-R82J-PF 功能描述:820nH Unshielded Wirewound Inductor 260mA 1 Ohm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:820nH 容差:±5% 额定电流:260mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:1 欧姆最大不同频率时的 Q 值:30 @ 25.2MHz 频率 - 自谐振:260MHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:25.2MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.075"（1.90mm）标准包装:1 NLV25T-R82J-EFD 功能描述:820nH Unshielded Wirewound Inductor 260mA 1 Ohm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包装:剪切带（CT）零件状态:停产类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:820nH 容差:±5% 额定电流:260mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:1 欧姆最大不同频率时的 Q 值:30 @ 25.2MHz 频率 - 自谐振:260MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:25.2MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.075"（1.90mm）标准包装:1 NLV25T-R82J-EF 功能描述:820nH Unshielded Wirewound Inductor 260mA 1 Ohm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EF 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:820nH 容差:±5% 额定电流:260mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:1 欧姆最大不同频率时的 Q 值:30 @ 7.96MHz 频率 - 自谐振:260MHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:25.2MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.075"（1.90mm）标准包装:1 NLV25T-R68J-PF 功能描述:680nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 850 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:680nH 容差:±5% 额定电流:300mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:850 毫欧最大不同频率时的 Q 值:30 @ 25.2MHz 频率 - 自谐振:300MHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:25.2MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.075"（1.90mm）标准包装:1 NLV25T-R68J-EFD 功能描述:680nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 850 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包装:剪切带（CT）零件状态:停产类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:680nH 容差:±5% 额定电流:300mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:850 毫欧最大不同频率时的 Q 值:30 @ 25.2MHz 频率 - 自谐振:300MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:25.2MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.075"（1.90mm）标准包装:1 NLV27WZ17DFT2G NLV27WZ32USG NLV27WZ86USG NLV27WZU04DFT2G NLV32T-010J-EF NLV32T-010J-EFD NLV32T-010J-PF NLV32T-010J-PFD NLV32T-012J-EF NLV32T-012J-EFD NLV32T-012J-PF NLV32T-012J-PFD NLV32T-015J-EF NLV32T-015J-EFD NLV32T-015J-PF NLV32T-015J-PFD NLV32T-018J-EF NLV32T-018J-EFD

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