NOSD157M006-0050

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制造商
AVX
制造商全称
AVX Corporation
功能描述
OxiCap? NOS Low ESR Series Niobium Oxide Capacitor

NOSD157M006-0050 技术参数

NOSD107M006R0100 功能描述:100μF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 2917 (7343 Metric) 100 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电容:100μF 容差:±20% 电压 - 额定:6.3V ESR（等效串联电阻）:100 毫欧电流 - 漏泄:12μA 耗散因数:6% 安装类型:表面贴装封装/外壳:2917（7343 公制）制造商尺寸代码:D 高度 - 安装（最大值）:0.122"（3.10mm）特性:低 ESR 工作温度:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 NOSD107M006R0080 功能描述:100μF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 2917 (7343 Metric) 80 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电容:100μF 容差:±20% 电压 - 额定:6.3V ESR（等效串联电阻）:80 毫欧电流 - 漏泄:12μA 耗散因数:6% 安装类型:表面贴装封装/外壳:2917（7343 公制）制造商尺寸代码:D 高度 - 安装（最大值）:0.122"（3.10mm）特性:低 ESR 工作温度:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 NOSC686M006S0200 功能描述:68μF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 2312 (6032 Metric) 200 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电容:68μF 容差:±20% 电压 - 额定:6.3V ESR（等效串联电阻）:200 毫欧电流 - 漏泄:8.2μA 耗散因数:6% 安装类型:表面贴装封装/外壳:2312（6032 公制）制造商尺寸代码:C 高度 - 安装（最大值）:0.122"（3.10mm）特性:低 ESR 工作温度:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 NOSC686M006R0200 功能描述:68μF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 2312 (6032 Metric) 200 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电容:68μF 容差:±20% 电压 - 额定:6.3V ESR（等效串联电阻）:200 毫欧电流 - 漏泄:8.2μA 耗散因数:6% 安装类型:表面贴装封装/外壳:2312（6032 公制）制造商尺寸代码:C 高度 - 安装（最大值）:0.110"（2.80mm）特性:低 ESR 工作温度:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 NOSC686M004R0200 功能描述:68μF Niobium Oxide Capacitor 4V 2312 (6032 Metric) 200 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电容:68μF 容差:±20% 电压 - 额定:4V ESR（等效串联电阻）:200 毫欧电流 - 漏泄:5.4μA 耗散因数:6% 安装类型:表面贴装封装/外壳:2312（6032 公制）制造商尺寸代码:C 高度 - 安装（最大值）:0.110"（2.80mm）特性:低 ESR 工作温度:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 NOSD337M002R0035 NOSD337M002R0100 NOSD337M004R0035 NOSD337M004R0100 NOSD477M002R0035 NOSD477M002R0055 NOSD477M002R0100 NOSD477M004R0100 NOSE227M006R0080 NOSE227M006R0100 NOSE337M004R0100 NOSE337M006R0080 NOSE337M006R0100 NOSE477M002R0100 NOSE477M004R0075 NOSE477M004R0100 NOSE687M002R0060 NOSV108M002R0050