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NOSW107M001R0150

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功能描述
铌氧化物电容器 1.8V 100UF 20% TOL.
RoHS
否
电容
330 uF
电压额定值
4 V
工作温度范围
- 55 C to + 125 C
ESR
150 mOhms
封装 / 箱体
2917 (7343 metric)
高度
2 mm
封装
Reel
制造商
AVX
容差
20 %

NOSW107M001R0150 技术参数

NOSV687M004R0075 功能描述:680μF Niobium Oxide Capacitor 4V 2924 (7361 Metric) 75 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电容:680μF 容差:±20% 电压 - 额定:4V ESR（等效串联电阻）:75 毫欧电流 - 漏泄:54.4μA 耗散因数:14% 安装类型:表面贴装封装/外壳:2924（7361 公制）制造商尺寸代码:V 高度 - 安装（最大值）:0.148"（3.75mm）特性:低 ESR 工作温度:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 NOSV477M006R0075 功能描述:470μF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 2924 (7361 Metric) 75 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电容:470μF 容差:±20% 电压 - 额定:6.3V ESR（等效串联电阻）:75 毫欧电流 - 漏泄:56.4μA 耗散因数:12% 安装类型:表面贴装封装/外壳:2924（7361 公制）制造商尺寸代码:V 高度 - 安装（最大值）:0.148"（3.75mm）特性:低 ESR 工作温度:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 NOSV108M002R0050 功能描述:1000μF Niobium Oxide Capacitor 2.5V 2924 (7361 Metric) 50 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电容:1000μF 容差:±20% 电压 - 额定:2.5V ESR（等效串联电阻）:50 毫欧电流 - 漏泄:50μA 耗散因数:18% 安装类型:表面贴装封装/外壳:2924（7361 公制）制造商尺寸代码:V 高度 - 安装（最大值）:0.148"（3.75mm）特性:低 ESR 工作温度:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 NOSE687M002R0060 功能描述:680μF Niobium Oxide Capacitor 2.5V 2917 (7343 Metric) 60 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电容:680μF 容差:±20% 电压 - 额定:2.5V ESR（等效串联电阻）:60 毫欧电流 - 漏泄:34μA 耗散因数:12% 安装类型:表面贴装封装/外壳:2917（7343 公制）制造商尺寸代码:E 高度 - 安装（最大值）:0.169"（4.30mm）特性:低 ESR 工作温度:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 NOSE477M004R0075 功能描述:470μF Niobium Oxide Capacitor 4V 2917 (7343 Metric) 75 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电容:470μF 容差:±20% 电压 - 额定:4V ESR（等效串联电阻）:75 毫欧电流 - 漏泄:37.6μA 耗散因数:12% 安装类型:表面贴装封装/外壳:2917（7343 公制）制造商尺寸代码:E 高度 - 安装（最大值）:0.169"（4.30mm）特性:低 ESR 工作温度:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 NOSY157M006R0100 NOSY227M002R0100 NOSY227M004R0100 NOSY337M001R0100 NOSY337M002R0100 NOSY337M004R0150 NOSY477M001R0100 NOSY686M006R0100 NOZ NP0.8-12 NP0080TAT1G NP0110500000G NP01105000J0G NP0115AG03LC NP0115AG03LCF NP0115AG03LCF-J01 NP0115AG03LCF-J02 NP0115AG03LCF-J04