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  • P4KE27AHE3/73
  • 5690
  • Vishay Semiconductor Diod
  • 13+
  • TVS 400W 27V 5% UNID
  • P4KE27AHE3/73
  • 10800
  • Vishay General Semiconduc
  • 12+
  • DO-204AL,DO-41,轴向
1
P4KE27AHE3/73
参数信息:

功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 27V 5% Unidir

RoHS:

制造商:Vishay Semiconductors

极性:Bidirectional

工作电压:

击穿电压:58.9 V

钳位电压:77.4 V

峰值浪涌电流:38.8 A

系列:

封装 / 箱体:DO-214AB

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

P4KE27AHE3/73技术参数

P4KE27A-T 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C P4KE27A-TP 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode TVS Single Uni-Dir 23.1V 400W 2-Pin DO-41 T/R P4KE27ATR 制造商:World Products 功能描述: P4KE27-B 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS DIODE AXIAL LEAD RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C P4KE27C 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 23.1Vso 25.7Vbr RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C P4KE27C/1 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 27V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C P4KE27C/4 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 27V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C P4KE27C/54 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 27V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C P4KE27CA 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 23.1Vso 25.7Vbr RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C P4KE27CA _AY _10001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: