供应商
型号
数量
厂商
批号
封装
交易说明
在线询价
QQ咨询
1

P6FMBJ6.8C-W技术参数

P6FMBJ62 制造商:RECTRON 制造商全称:Rectron Semiconductor 功能描述:GPP TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR (600 WATT PEAK POWER 1.0 WATT STEADY STATE) P6FMBJ62A 制造商:RECTRON 制造商全称:Rectron Semiconductor 功能描述:GPP TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR (600 WATT PEAK POWER 1.0 WATT STEADY STATE) P6FMBJ62A-W 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C P6FMBJ62CA-W 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5% bi-dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C P6FMBJ62C-W 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 bi-dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C P6FMBJ62-W 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 _ RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C P6FMBJ68 制造商:RECTRON 制造商全称:Rectron Semiconductor 功能描述:GPP TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR (600 WATT PEAK POWER 1.0 WATT STEADY STATE) P6FMBJ68A 制造商:RECTRON 制造商全称:Rectron Semiconductor 功能描述:GPP TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR (600 WATT PEAK POWER 1.0 WATT STEADY STATE) P6FMBJ68A-W 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C P6FMBJ68CA-W 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5% bi-dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C P6P82PS01AG-08CR P80C251SB16 P80C251SQ16 P80C251TB24 P80C251TQ24 P80C31BH1SF88 P80C31BH24SF88 P80C31SBAA,512 P80C31SBBB,557 P80C31SBPN,112 P80C31SFAA,512 P80C31X2BN,112 P80C321SF88 P80C3224SF88 P80C32SBAA,512 P80C32SBBB,557 P80C32SBPN,112 P80C32UBAA,512