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PBSS5350S,126
参数信息:

功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS BISS AMMO LARGE

RoHS:

制造商:STMicroelectronics

配置:

晶体管极性:PNP

集电极—基极电压 VCBO:

集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V

发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V

集电极—射极饱和电压:

最大直流电集电极电流:

增益带宽产品fT:

直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A

最大工作温度:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

PBSS5350S,126技术参数

PBSS5350SA 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:50 V low VCEsat PNP transistor PBSS5350SS 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:50 V, 2.7 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor PBSS5350SS T/R 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 PBSS5350SS,115 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 PBSS5350T 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, PNP, SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:200; Operating Temperature Min:-65C; Operating Temperature Max:150C;;RoHS Compliant: Yes 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PNP transistor 3A SOT23,PBSS5350T PBSS5350T T/R 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 50V 2A LO VCESAT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 PBSS5350T,215 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 50V 2A LO VCESAT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 PBSS5350THR 功能描述:PBSS5350TH/SOT23/TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):390mV @ 300mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 3A,2V 功率 - 最大值:1.44W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB 标准包装:1 PBSS5350X 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-89 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, PNP, SOT-89 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, PNP, SOT-89; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:550mW; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:200; Operating Temperature Min:-65C; Operating Temperature Max:150C ;RoHS Compliant: Yes 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PNP transistor 3A SOT89,PBSS5350X PBSS5350X /T3 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 PBSS5350SS,115 PBSS5350T,215 PBSS5350THR PBSS5350TVL PBSS5350X,115 PBSS5350X,135 PBSS5350X,146 PBSS5350X,147 PBSS5350Z,135 PBSS5360PASX PBSS5360XF PBSS5360XX PBSS5360ZX PBSS5420D,115 PBSS5440D,115 PBSS5480X,135 PBSS5480XZ PBSS5520X,135