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  • PBSS5580PA,115
  • 60000
  • NXP
  • 2016+PB
  • SOT1061
  • 深圳现货样品可售长期供货 
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PBSS5580PA,115
参数信息:

功能描述:两极晶体管 - BJT 80V 4A PNP LO VCEsat TRANSISTOR

RoHS:

制造商:STMicroelectronics

配置:

晶体管极性:PNP

集电极—基极电压 VCBO:

集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V

发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V

集电极—射极饱和电压:

最大直流电集电极电流:

增益带宽产品fT:

直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A

最大工作温度:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

PBSS5580PA,115技术参数

PBSS5580PA115 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: PBSS5612PA 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTORPNP12V6ASOT1061 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,PNP,12V,6A,SOT1061 PBSS5612PA,115 功能描述:两极晶体管 - BJT 12V 6A PNP LO VCEsat TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 PBSS5620PA 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTORPNP20V6ASOT1061 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,PNP,20V,6A,SOT1061 PBSS5620PA,115 功能描述:两极晶体管 - BJT 20V 6A PNP LO VCEsat TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 PBSS5630PA 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTORPNP30V6ASOT1061 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,PNP,30V,6A,SOT1061 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,PNP,30V,6A,SOT1061; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-30V; Transition Frequency Typ ft:80MHz; Power Dissipation Pd:2.1W; DC Collector Current:-6A; DC Current Gain hFE:345; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes PBSS5630PA,115 功能描述:两极晶体管 - BJT 30V 6A PNP LO VCEsat TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 PBSS8110AS,126 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS BISS AMMO LARGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 PBSS8110D 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-457 PBSS8110D T/R 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 PBSS5612PA,115 PBSS5620PA,115 PBSS5630PA,115 PBSS8110AS,126 PBSS8110D,115 PBSS8110S,126 PBSS8110T,215 PBSS8110TVL PBSS8110X,135 PBSS8110Y,115 PBSS8110Z,135 PBSS8510PA,115 PBSS9110AS,126 PBSS9110D,115 PBSS9110S,126 PBSS9110T,215 PBSS9110X,135 PBSS9110Y,115