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PBSS5580PA115

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  • 制造商
  • NXP
  • 功能描述
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
PBSS5580PA115 技术参数
  • PBSS5580PA,115 功能描述:TRANS PNP 80V 4A SOT1061 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):420mV @ 200mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):140 @ 2A,2V 功率 - 最大值:2.1W 频率 - 跃迁:110MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-UDFN 供应商器件封装:3-HUSON(2x2) 基本零件编号:PBSS5580 标准包装:1 PBSS5560PA,115 功能描述:TRANS PNP 60V 5A SOT1061 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):450mV @ 250mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):150 @ 2A,2V 功率 - 最大值:2.1W 频率 - 跃迁:90MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-UDFN 供应商器件封装:3-HUSON(2x2) 基本零件编号:PBSS5560 标准包装:1 PBSS5540ZF 功能描述:PBSS5540Z/SC-73/REEL 13" Q1/T1 制造商:nexperia usa inc. 系列:* 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 PBSS5540Z,115 功能描述:TRANS PNP 40V 5A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):160mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):150 @ 2A,2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 基本零件编号:PBSS5540 标准包装:1 PBSS5540X,135 功能描述:TRANS PNP 40V 4A SOT89 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):375mV @ 500mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):150 @ 2A,2V 功率 - 最大值:1.6W 频率 - 跃迁:60MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 基本零件编号:PBSS5540 标准包装:1 PBSS8110Y,115 PBSS8110Z,135 PBSS8510PA,115 PBSS9110AS,126 PBSS9110D,115 PBSS9110S,126 PBSS9110T,215 PBSS9110X,135 PBSS9110Y,115 PBSS9110Z,135 PBSS9410PA,115 PBT420-100R PBT420-10KT PBTMT PBTMT/E PBU1007 PBU805 PBW.3K.200.CZZ
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