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PDTC114EEF

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  • PDTC114EEF
    PDTC114EEF

    PDTC114EEF

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 10000

  • PHILIPS

  • SOT23-3

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • PDTC114EEF
    PDTC114EEF

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  • 标准国际(香港)有限公司
    标准国际(香港)有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:0755-886074588325800283206150

    地址:新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 5000

  • Philips

  • SC89(3k/RL)

  • NA

  • -
  • 全新原装!优势库存热卖中!

  • PDTC114EEF
    PDTC114EEF

    PDTC114EEF

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • PHILIPS

  • NULL

  • NULL

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • PDTC114EEF
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:史仙雁

    电话:19129911934(手机优先微信同号)0755-82813018

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

  • 2300

  • NXP

  • ROHS

  • 13+

  • -
  • 全新原装正品 欢迎来电0755-8286...

  • PDTC114EEF
    PDTC114EEF

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • NXP

  • SOT-423

  • 最新批号

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  • 一级代理.原装特价现货!

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  • 制造商
  • PHILIPS
  • 制造商全称
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 kohm, R2 = 10 kohm
PDTC114EEF 技术参数
  • PDTC114EE,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 PDTB123YT,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(R2):10 kOhms 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 50mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 标准包装:1 PDTB123ET,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(R2):2.2 kOhms 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 50mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 标准包装:1 PDTB113ZT,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(R2):10 kOhms 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 50mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 标准包装:1 PDTA144WT,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(R2):22 kOhms 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 标准包装:1 PDTC114EU,115 PDTC114EU,135 PDTC114TE,115 PDTC114TEF,115 PDTC114TK,115 PDTC114TM,315 PDTC114TMB,315 PDTC114TS,126 PDTC114TT,215 PDTC114TT,235 PDTC114TU,115 PDTC114YE,115 PDTC114YE,135 PDTC114YEF,115 PDTC114YK,115 PDTC114YM,315 PDTC114YMB,315 PDTC114YQAZ
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