PDTC114TE，115

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PDTC114TE,115
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
SC-75
18+
-
TRANS PREBIAS NPN 15...

PDTC114TE,115
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
NXP Semiconductors
标准封装
15+
-
原装正品，假一罚十

PDTC114TE,115
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
PHILIPS
香港库存，来电查询订购，可长期订货
贴片
-
假一罚十，百分百原装正品

PDTC114TE,115
深圳市粤科源兴科技有限公司
深圳市粤科源兴科技有限公司
联系人：谢先生
电话：13392885468
地址：深圳市福田区华强路赛格广场大厦69楼6998室/华强电子世界三期4C159-160室
资质：营业执照
30000
Diode
14+
-
原装现货/价格优势

PDTC114TE,115
甄芯网
甄芯网
联系人：柯先生/赵小姐
电话：0755-83665813
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907 门市部：中航路都会电子3C002B
资质：营业执照
54000
NXP
N/A
-
低至：￥0.101[国外订货]

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功能描述
开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
配置
晶体管极性
NPN/PNP
典型输入电阻器
典型电阻器比率
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 mA
最大工作频率
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
150 mA
峰值直流集电极电流
功率耗散
200 mW
最大工作温度
封装
Reel

PDTC114TE，115 技术参数

PDTC114EU,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:10 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323-3 基本零件编号:PDTC114 标准包装:1 PDTC114ET,235 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:10 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）基本零件编号:PDTC114 标准包装:1 PDTC114ET,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:10 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）基本零件编号:PDTC114 标准包装:1 PDTC114EE,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 PDTB123YT,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:10 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 50mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）标准包装:1 PDTC114YE,135 PDTC114YEF,115 PDTC114YK,115 PDTC114YM,315 PDTC114YMB,315 PDTC114YQAZ PDTC114YS,126 PDTC114YT,215 PDTC114YTVL PDTC114YU,115 PDTC114YUF PDTC115EE,115 PDTC115EEF,115 PDTC115EK,115 PDTC115EM,315 PDTC115EMB,315 PDTC115ES,126 PDTC115ET,215