PDTC115TS

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PDTC115TS
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
NXPSEMICONDUCTORS
ORIGINAL
最新批号
-
代理此型号，原装特价现货！

PDTC115TS,126
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
TO-92-3
18+
-
Pre-Biased Bipolar T...

PDTC115TS
深圳市诚达吉电子有限公司
深圳市诚达吉电子有限公司
联系人：莫小姐
电话：13480615819
地址：广东深圳
资质：营业执照
2000
NXP原装
SMD
22+
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全部原装现货

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PDTC115TS 技术参数

PDTC115TM,315 功能描述:TRANS NPN W/RES 50V SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:100 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:DFN1006-3 基本零件编号:PDTC115 标准包装:1 PDTC115TK,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:100k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标准包装:1 PDTC115TE,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:100k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 PDTC115ET,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:100 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:100 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）标准包装:1 PDTC115EM,315 功能描述:TRANS NPN W/RES 50V SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:100 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:100 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:DFN1006-3 基本零件编号:PDTC115 标准包装:1 PDTC123ET,215 PDTC123ETVL PDTC123EU,115 PDTC123JE,115 PDTC123JK,115 PDTC123JM,315 PDTC123JMB,315 PDTC123JQAZ PDTC123JS,126 PDTC123JT,215 PDTC123JT,235 PDTC123JU,115 PDTC123JU/ZLX PDTC123TE,115 PDTC123TM,315 PDTC123TMB,315 PDTC123TT,215 PDTC123TT,235