您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > P字母型号搜索 >

PDTD123TK

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • PDTD123TK
    PDTD123TK

    PDTD123TK

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • NXP/恩智浦

  • SOT-23

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • PDTD123TK
    PDTD123TK

    PDTD123TK

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:严艺浦

    电话:18682365538

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • NXP/恩智浦

  • SOT-23

  • 23+

  • -
  • 原装正品 欢迎咨询

  • PDTD123TK115
    PDTD123TK115

    PDTD123TK115

  • 深圳市柏新电子科技有限公司
    深圳市柏新电子科技有限公司

    联系人:林小姐//方先生

    电话:0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处:北京海春路中发大厦60淀区知

  • 2500

  • PH3

  • 2012+

  • -
  • 只做原装正品。

  • PDTD123TK,115
    PDTD123TK,115

    PDTD123TK,115

  • 深圳市华诺星科技有限公司
    深圳市华诺星科技有限公司

    联系人:胡泽君

    电话:18998911795

    地址:深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602

    资质:营业执照

  • 1000

  • NXP USA Inc.

  • 原厂封装

  • 20+

  • -
  • PDTD123TK,115
    PDTD123TK,115

    PDTD123TK,115

  • 深圳市华诺星科技有限公司
    深圳市华诺星科技有限公司

    联系人:廖小姐

    电话:18998919871

    地址:深圳市福田区振兴路上步工业区405栋6楼601-602

  • 1000

  • NXP USA Inc.

  • 带盒(TB)

  • 20+

  • -
  • 原装正品,专注原装正品十五年

  • 1/1页 40条/页 共14条 
  • 1
PDTD123TK PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商
  • PHILIPS
  • 制造商全称
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = open
PDTD123TK 技术参数
  • PDTD123ET,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(R2):2.2 kOhms 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 50mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 基本零件编号:PDTD123 标准包装:1 PDTD114ETR 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 0.425W 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(R2):10 kOhms 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 50mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:225MHz 功率 - 最大值:320mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 标准包装:1 PDTD113ZT,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(R2):10 kOhms 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 50mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 基本零件编号:PDTD113 标准包装:1 PDTD113ET,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(R2):1 kOhms 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):33 @ 50mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 标准包装:1 PDTC144WT,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(R2):22 kOhms 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 标准包装:1 PDTD143EQAZ PDTD143ETR PDTD143ETVL PDTD143EUF PDTD143EUX PDTD143XQAZ PDTD143XTR PDTD143XTVL PDTD143XUF PDTD143XUX PDTH110 PDU1015-VM PDU1215 PDU1220 PDU1220T PDU1230 PDU12IEC PDU1415
配单专家

在采购PDTD123TK进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买PDTD123TK产品风险,建议您在购买PDTD123TK相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的PDTD123TK信息由会员自行提供,PDTD123TK内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号