PESD5V0X1BAT/R

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PESD5V0X1BAT/R 技术参数

PESD5V0V4UW,115 功能描述:TVS DIODE 5VWM 13VC SOT665 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:齐纳单向通道:4 电压 - 反向关态（典型值）:5V（最大）电压 - 击穿（最小值）:6.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:13V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:1.5A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:16W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:12pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-665 供应商器件封装:SOT-665 基本零件编号:PESD*V4U 标准包装:1 PESD5V0V4UK,132 功能描述:TVS DIODE 5VWM 10VC SOT891 制造商:nxp semiconductors 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:生命周期结束类型:齐纳单向通道:4 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:5V（最大）电压 - 击穿（最小值）:6.47V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:10V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:2.5A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:25W 电源线路保护:无应用:汽车级不同频率时的电容:12.5pF @ 1MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-XFDFN 供应商器件封装:6-XSON，SOT891（1x1）标准包装:1 PESD5V0V4UG,115 功能描述:TVS DIODE 5VWM 13VC SOT353 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:5V（最大）电压 - 击穿（最小值）:6.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:13V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:1.5A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:16W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:12pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装:SOT-353 标准包装:1 PESD5V0V4UF,115 功能描述:TVS DIODE 5VWM 13VC 6XSON 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:5V（最大）电压 - 击穿（最小值）:6.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:13V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:1.5A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:16W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:12pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-XFDFN 供应商器件封装:6-XSON，SOT886（1.45x1）标准包装:1 PESD5V0V2BMYL 功能描述:TVS DIODE 5VWM 12.5VC XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:齐纳双向通道:2 电压 - 反向关态（典型值）:5V（最大）电压 - 击穿（最小值）:5.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:12.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:9A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无应用:汽车级不同频率时的电容:18pF @ 1MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:DFN1006-3 标准包装:1 PESD5V0X1ULD,315 PESD5V0X2UAMBYL PESD5V0X2UAMYL PESD5V0X2UMBYL PESD5V0X2UMYL PESD5V2S18U,118 PESD5V2S2UT,215 PESD5V2S2UT/ZLR PESD5Z12,115 PESD5Z2.5,115 PESD5Z3.3,115 PESD5Z5.0,115 PESD5Z5.0F PESD5Z6.0,115 PESD5Z7.0,115 PESD6V0L2UU,115 PESD6V5C1USFYL PESD7V0C1BSFYL