PH210F280-24

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PH210F280-24 技术参数

PH20100S,115 功能描述:MOSFET N-CH 100V 34.3A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:34.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:39nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2264pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 毫欧 @ 10A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PH1955L,115 功能描述:MOSFET N-CH 55V 40A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:17.3 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1992pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供应商器件封装:LFPAK，电源-SO8 标准包装:1 PH18CNB20PAM1SA 功能描述:SENS PHOTO M18 PNP NO+NC 制造商:carlo gavazzi inc. 系列:* 包装:散装零件状态:在售安装类型:面板安装封装/外壳:模块标准包装:1 PH-180Q 功能描述:8 Ohm Magnetic Speaker 10W 500Hz ~ 7kHz User Defined Round 制造商:mallory sonalert products inc. 系列:PH 零件状态:有效类型:磁性频率范围:500Hz ~ 7kHz 阻抗:8 欧姆声压级:- 功率 - 额定值:10W 功率 - 最大值:10W 端口位置:用户自定义形状:圆形材料 - 锥体:- 材料 - 磁铁:- 端接:导线引线大小/尺寸:88.00mm 直径高度:93.50mm 标准包装:1 PH15181/4 功能描述:SWITCH KNOB STRAIGHT .996" 制造商:te connectivity alcoswitch switches 系列:PH 零件状态:在售样式:圆柱形类型:滚花，直形轴尺寸:0.250"（6.35mm）直径:0.996"（25.30mm）高度:0.669"（17.00mm）指示灯:无指示灯材料:塑料颜色:黑色特性:6-32 号固定螺丝标准包装:25 PH2-230/120-081 PH2-230/120-101 PH2-230/120-161 PH2230DLSX PH2250G PH2251G PH2255G PH23 PH-2-30M PH-230Q PH2323N PH2324K PH2355 PH2369,112 PH2369,116 PH2369,126 PH-2400-A1 PH-2400-A6