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PHN210T118

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  • PHN210T118
    PHN210T118

    PHN210T118

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 5000

  • PHILIPS

  • SOP

  • 04+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • PHN210T118
    PHN210T118

    PHN210T118

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 1190

  • NXP

  • SOT96-1

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • PHN210T118
    PHN210T118

    PHN210T118

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • NXP

  • 原封装

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理,原装正品现货!

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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N CH 30V 3.4A 8-SOIC
PHN210T118 技术参数
  • PHN210T,118 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):100 毫欧 @ 2.2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):250pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 PHL5830AL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8HVSON 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标准包装:1 PHL3212 功能描述:LABEL 3"X1.5" BLUE/RED/WHITE 制造商:panduit corp 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 类型:标签 标签类型:- 标签尺寸:3.00" 长 x 1.50" 宽(76.2mm x 38.1mm) 材料:乙烯基 颜色:蓝色,红色,白色 配套使用产品/相关产品:- 标准包装:1 PHK04P02T,518 功能描述:MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):16V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.66A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):600mV @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):7.2nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):528pF @ 12.8V FET 功能:- 功率耗散(最大值):5W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):120 毫欧 @ 1A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-SO 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 标准包装:1 PHG.1B.308.CLLD52Z 功能描述:8 Position Circular Connector Receptacle, Female Sockets Solder Cup Gold 制造商:lemo 系列:1B 包装:散装 零件状态:有效 连接器类型:插座,母形插口 针脚数:8 外壳尺寸 - 插件:308 外壳尺寸,MIL:- 安装类型:自由悬挂 端接:焊杯 紧固类型:推挽式,销锁 朝向:G 侵入防护:IP50 - 防尘 外壳材料,镀层:黄铜,镀铬 触头镀层:金 特性:后壳,屏蔽 触头镀层厚度:59μin(1.50μm) 额定电流:- 电压 - 额定:- 工作温度:-55°C ~ 250°C 标准包装:1 PHP.0F.305.XLM PHP.1F.308.XLM PHP.2F.308.XLM PHP.2M.319.XLMT PHP00603E1000BBT1 PHP00603E1000BST1 PHP00603E1001BBT1 PHP00603E1001BST1 PHP00603E1002BBT1 PHP00603E1002BST1 PHP00603E1010BBT1 PHP00603E1010BST1 PHP00603E1011BBT1 PHP00603E1011BST1 PHP00603E1012BBT1 PHP00603E1012BST1 PHP00603E1020BBT1 PHP00603E1020BST1
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