PHNR-10-H_代理商_批发/采购【买卖IC网】PHNR-10-H

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批号
价格
说明
操作

PHNR-10-H
深圳市众多星电子有限公司
深圳市众多星电子有限公司
联系人：欧先生
电话：1342528235017819355232
地址：深圳市福田区八卦四路中浩大厦1013室
资质：营业执照
10
连接器
最新
-
进口，原装，现货

PHNR-10-H
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：张先生/雷小姐
电话：0755-8279802015814679726（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）
地址：华强街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
100000
JST
21+原厂授权
-
专业Molex海量库存实单来撩

PHNR-10-H
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
970
JST
con
21.08
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价

PHNR-10-H
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：中国上海
970
JST
NA
21.08
-
查现货！就到京北通宇商城

PHNR-10-H
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
970
JST
NA
21.08
-
现货！就到京北通宇商城

PHNR-10-H
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
JST
Housing
刚到货
-
代理可含税开票

PHNR-10-H
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
25000
JST
塑壳
N/A
-
国内10号仓库专员1391131525...

PHNR-10-H
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
970
JST
con
21.08
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价ww...

PHNR-10-H
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
JST
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

PHNR-10-H
深圳市桂鹏科技有限公司
深圳市桂鹏科技有限公司
联系人：田小姐/高先生/李小姐
电话：0755-828102988281039882810298
地址：深圳市罗湖区宝安南路国都大厦-国丽15D（地王大厦周边）
资质：营业执照
82810298
JST连接器
现货@
15+
-
深圳现货★原厂品质★提供PCB板配单业务

PHNR-10-H
深圳市德会鑫科技有限公司
深圳市德会鑫科技有限公司
联系人：欧阳
电话：18672855211
地址：深圳市福田区华强北街道上步工业区 23 栋上航大厦 410-U
264122
JST/日压
22+
-
原厂原装，优惠热卖

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PHNR-10-H 技术参数

PHN210T,118 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:250pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 PHL5830AL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8HVSON 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标准包装:1 PHL3212 功能描述:LABEL 3"X1.5" BLUE/RED/WHITE 制造商:panduit corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售类型:标签标签类型:- 标签尺寸:3.00" 长 x 1.50" 宽（76.2mm x 38.1mm）材料:乙烯基颜色:蓝色，红色，白色配套使用产品/相关产品:- 标准包装:1 PHK04P02T,518 功能描述:MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:16V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.66A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:600mV @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:7.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:528pF @ 12.8V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 1A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-SO 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）标准包装:1 PHG.1B.308.CLLD52Z 功能描述:8 Position Circular Connector Receptacle, Female Sockets Solder Cup Gold 制造商:lemo 系列:1B 包装:散装零件状态:有效连接器类型:插座，母形插口针脚数:8 外壳尺寸 - 插件:308 外壳尺寸，MIL:- 安装类型:自由悬挂端接:焊杯紧固类型:推挽式，销锁朝向:G 侵入防护:IP50 - 防尘外壳材料，镀层:黄铜，镀铬触头镀层:金特性:后壳，屏蔽触头镀层厚度:59μin（1.50μm）额定电流:- 电压 - 额定:- 工作温度:-55°C ~ 250°C 标准包装:1 PHP.0F.305.XLM PHP.1F.308.XLM PHP.2F.308.XLM PHP.2M.319.XLMT PHP00603E1000BBT1 PHP00603E1000BST1 PHP00603E1001BBT1 PHP00603E1001BST1 PHP00603E1002BBT1 PHP00603E1002BST1 PHP00603E1010BBT1 PHP00603E1010BST1 PHP00603E1011BBT1 PHP00603E1011BST1 PHP00603E1012BBT1 PHP00603E1012BST1 PHP00603E1020BBT1 PHP00603E1020BST1

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