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PHP2N50E

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

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    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

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  • 北京首天伟业科技有限公司
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    联系人:刘先生

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    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N TO-220AB
PHP2N50E 技术参数
  • PHP29N08T,127 功能描述:MOSFET N-CH 75V 27A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):27A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):11V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):19nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):810pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):88W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):50 毫欧 @ 14A,11V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PHP28NQ15T,127 功能描述:MOSFET N-CH 150V 28.5A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):150V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):28.5A(Tj) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):24nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1250pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):150W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):65 毫欧 @ 18A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PHP27NQ11T,127 功能描述:MOSFET N-CH 110V 27.6A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):110V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):27.6A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):30nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1240pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):107W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):50 毫欧 @ 14A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PHP23NQ11T,127 功能描述:MOSFET N-CH 110V 23A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):110V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):23A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):22nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):830pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):100W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):70 毫欧 @ 13A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PHP225,118 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.3A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):250 毫欧 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):250pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 PHP45NQ10T,127 PHP45NQ10TA,127 PHP45NQ11T,127 PHP45NQ15T,127 PHP47NQ10T,127 PHP500 PHP52N06T,127 PHP54N06T,127 PHP55N03LTA,127 PHP60 PHP63NQ03LT,127 PHP66NQ03LT,127 PHP71NQ03LT,127 PHP73N06T,127 PHP75NQ08T,127 PHP78NQ03LT,127 PHP79NQ08LT,127 PHP8.4
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