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PMCY1400TQM-AK

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PMCY1400TQM-AK
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
300
ALCATEL
TQFP
2012+
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只做原装正品。

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您是不是要找： PMD PMD-0-9 PMD1204PBB1-A.(2).GN PMD1204PBB2-A.(2).GN PMD1204PBB3-A.(2).GN PMD1204PJB1-A PMD1204PJB3-A PMD1204PPB1-A(2) PMD1204PPB1-A.(2).GN

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PMCY1400TQM-AK 技术参数

PMCXB900UELZ 功能描述:20 V, COMPLEMENTARY N/P-CHANNEL 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道互补型 FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:600mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:620 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:21.3pF @ 10V 功率 - 最大值:380mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装:DFN1010B-6 标准包装:1 PMCXB900UE 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道互补型 FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:600mA，500mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:620 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:21.3pF @ 10V 功率 - 最大值:265mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-DFN（1.1x1）标准包装:1 PMCXB1000UEZ 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V DFN1010B-6 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道互补型 FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:590mA（Ta），410mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:670 毫欧 @ 590mA，4.5V，1.4 欧姆 @ 410mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1.05nC @ 4.5V，1.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:30.3pF @ 15V，43.2pF @ 15V 功率 - 最大值:285mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装:DFN1010B-6 标准包装:1 PMCPB5530X,115 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.3A，3.4A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:34 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:21.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:660pF @ 10V 功率 - 最大值:490mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装:DFN2020-6 标准包装:1 PMCM650VNEZ 功能描述:MOSFET N-CH 12V 4WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:15.4nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1060pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:556mW（Ta）, 12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 3A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-WLCSP（1.48x.98）封装/外壳:6-XFBGA，WLCSP 标准包装:1 PMD1204PPB2-A.(2).GN PMD1204PPB3-A.(2).GN PMD1204PPBX-A(2).Z.F.PWM.GN PMD1204PPBX-A(2).Z.GN PMD1204PPBX-A(2).Z.R.PWM.GN PMD1204PQB1-A (2) PMD1204PQB1-A (2) F PMD1204PQB1-A.(2).GN PMD1204PQB1-A.(2).U.F.GN PMD1204PQB1-A.(2).U.GN PMD1204PQB2-A.(2).GN PMD1204PQBX-A (2) F PMD1204PQBX-A.(2).F.GN PMD1204PQBX-A.(2).GN PMD1204PQV2-A.(2).U.GN PMD1206PKB1-A.(2).GN PMD1206PKV1-A.GN PMD1206PKV2-A.GN