您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > P字母型号搜索 >

PMF4-01

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作

没找到与 " PMF4-01 " 相关的供应商

您可以:

1. 缩短或修改您的搜索词,重新搜索

2. 发布紧急采购,3分钟左右您将得到回复 发布紧急采购

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
PMF4-01 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
PMF4-01 技术参数
  • PMF400UN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 830MA SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):830mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):480 毫欧 @ 200mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.89nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):43pF @ 25V 功率 - 最大值:560mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 PMF3800SN,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):260mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.85nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):40pF @ 10V 功率 - 最大值:560mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 PMF370XN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.87A SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):870mA(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):0.65nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):37pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):560mW(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):440 毫欧 @ 200mA,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-323-3 封装/外壳:SC-70,SOT-323 标准包装:1 PMF290XN,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1A SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):350 毫欧 @ 200mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.72nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):34pF @ 20V 功率 - 最大值:560mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 PMF280UN,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.02A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):340 毫欧 @ 200mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.89nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):45pF @ 20V 功率 - 最大值:560mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 PMF-4V320WCAR PMF-4V320WCGB PMF-4V320WCGR PMF500 PM-F54 PM-F54P PMF-5V320WCAB PMF-5V320WCAR PMF-5V320WCGB PMF-5V320WCGR PMF625 PMF63UN,115 PMF63UNEAX PMF63UNEX PM-F64 PM-F64P PM-F65 PM-F65-P
配单专家

在采购PMF4-01进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买PMF4-01产品风险,建议您在购买PMF4-01相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的PMF4-01信息由会员自行提供,PMF4-01内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号