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PMPB23XNEZ

配单专家企业名单
  • 型号
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  • PMPB23XNEZ
    PMPB23XNEZ

    PMPB23XNEZ

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人：吴经理

    电话：18138401919

    地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中7楼7B30

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SOT1220

  • 2021+

  • -

  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • PMPB23XNEZ
    PMPB23XNEZ

    PMPB23XNEZ

  • 深圳市芯驰科技有限公司
    深圳市芯驰科技有限公司

    联系人：丁皓鹏

    电话：1866538497818124166365

    地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331

    资质：营业执照

  • 10000

  • PHA

  • SOT1220

  • 15+

  • -

  • 原装正品，价格优势！

  • PMPB23XNEZ
    PMPB23XNEZ

    PMPB23XNEZ

  • 深圳市铭昌源科技有限公司
    深圳市铭昌源科技有限公司

    联系人：优质现货代理商

    电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生

    地址：深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室

    资质：营业执照

  • 61779

  • Nexperia

  • SMD

  • 22+

  • -

  • 优势代理，公司现货可开票

  • PMPB23XNEZ
    PMPB23XNEZ

    PMPB23XNEZ

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：朱先生/李小姐

    电话：0755-2394163213723794312（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • Nexperia

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理.原装特价现货！

  • PMPB23XNEZ MOS(场效应管)
    PMPB23XNEZ MOS(场效应管)

    PMPB23XNEZ MOS(场效应管)

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人：张小姐

    电话：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B

    资质：营业执照

  • 60000

  • SOT1220

  • -

  • 原厂代理支持订货

  • PMPB23XNEZ
    PMPB23XNEZ

    PMPB23XNEZ

  • 深圳市信通吉电子有限公司
    深圳市信通吉电子有限公司

    联系人：冯

    电话：17841084408

    地址：深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和大厦B座20

  • 38000

  • Nexpe原装正品

  • SOT1220

  • 19+

  • -

  • 香港总公司18年专业电子元器件现货供应商

  • PMPB23XNEZ MOS(场效应管)
    PMPB23XNEZ MOS(场效应管)

    PMPB23XNEZ MOS(场效应管)

  • 深圳庞田科技有限公司
    深圳庞田科技有限公司

    联系人：吴小姐

    电话：13612858787

    地址：深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A

  • 60000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT1220

  • 21+原装

  • -

  • 庞田无假货，只做原装正品，货真价实欢迎前...

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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 20V 7A 6DFN2020MD
  • 制造商
  • nexperia usa inc.
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 剪切带（CT）
  • 零件状态
  • 在售
  • FET 类型
  • N 沟道
  • 技术
  • MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
  • 20V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
  • 7A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 1.8V，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
  • 900mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
  • 17nC @ 10V
  • Vgs（最大值）
  • ±12V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
  • 1136pF @ 10V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 1.7W（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
  • 22 毫欧 @ 7A，4.5V
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 供应商器件封装
  • 6-DFN2020MD（2x2）
  • 封装/外壳
  • 6-UDFN 裸露焊盘
  • 标准包装
  • 1
PMPB23XNEZ 技术参数
  • PMPB23XNE,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 7A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:17nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1136pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22 毫欧 @ 7A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2） 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 标准包装:1 PMPB20XPE,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 7.2A SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.2A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:45nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:294pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23.5 毫欧 @ 7.2A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2） 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 标准包装:1 PMPB20XNEAX 功能描述:MOSFET N-CH 20V SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.5A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:15nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:930pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:460mW（Ta）, 12.5W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 7.5A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2） 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 标准包装:1 PMPB20UN,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6.6A 6DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.6A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 6.6A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:460pF @ 10V 功率 - 最大值:1.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2） 标准包装:1 PMPB20SNAX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 8A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:13nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:460pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:15W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 8A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2） 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 标准包装:1 PMPB45EPAX PMPB47XP,115 PMPB48EP,115 PMPB50ENEAX PMPB55ENEAX PMPB55XNEAX PMPB85ENEA/FX PMPB85ENEAX PMPB95ENEA/FX PMPB95ENEAX PMP-BUCKET PMPF-1P PMPF-1PF PMR01ZZPJ000 PMR01ZZPJU10L PMR03EZPFU10L0 PMR03EZPJ000 PMR03EZPJU10L
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