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PMR209MB5470M100R03

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  • PMR209MB5470M100R03
    PMR209MB5470M100R03

    PMR209MB5470M100R03

  • 深圳市创芯弘科技有限公司
    深圳市创芯弘科技有限公司

    联系人:(2014年前十佳IC供应商)

    电话:13410000176

    地址:深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......

    资质:营业执照

  • 369800

  • KEMET(基美)

  • 径向引线,P=15.2mm

  • 刚到货

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  • 代理可含税开票

  • 1/1页 40条/页 共4条 
  • 1
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  • 制造商
  • KEMET Corporation
  • 功能描述
PMR209MB5470M100R03 技术参数
  • PMR209MB5470M047R30 功能描述:RC EMI Filter 1st Order Low Pass 1 Channel R = 47 Ohms, C = 0.047μF Radial 制造商:kemet 系列:PMR209 包装:散装 零件状态:有效 类型:低通 滤波器阶数:1st 技术:RC 通道数:1 中心/截止频率:- 衰减值:- 电阻 - 通道(欧姆):47 电流:- 数值:R = 47 欧姆,C = 0.047μF ESD 保护:无 工作温度:-40°C ~ 85°C 应用:通用 电压 - 额定:250VAC 安装类型:通孔 封装/外壳:径向 大小/尺寸:0.728" 长 x 0.287" 宽(18.50mm x 7.30mm) 高度:0.512"(13.00mm) 标准包装:400 PMR205AC6470M047R30 功能描述:RC EMI Filter 1st Order Low Pass 1 Channel R = 47 Ohms, C = 0.47μF Radial 制造商:kemet 系列:PMR205 包装:散装 零件状态:有效 类型:低通 滤波器阶数:1st 技术:RC 通道数:1 中心/截止频率:- 衰减值:- 电阻 - 通道(欧姆):47 电流:- 数值:R = 47 欧姆,C = 0.47μF ESD 保护:无 工作温度:-40°C ~ 85°C 应用:通用 电压 - 额定:125VAC 安装类型:通孔 封装/外壳:径向 大小/尺寸:0.945" 长 x 0.299" 宽(24.00mm x 7.60mm) 高度:0.551"(14.00mm) 标准包装:250 PMR10RI 功能描述:SENS PHOTO 10M SPDT 制造商:carlo gavazzi inc. 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 感应距离:393.701"(10m) 感应方法:反射 输出类型:- 响应时间:20ms,30ms 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块,导线引线 工作温度:-25°C ~ 55°C 标准包装:1 PMPB95ENEAX 功能描述:MOSFET N-CH 80V 2.8A SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.8A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):14.9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):504pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.6W(Ta),15.6W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):105 毫欧 @ 2.8A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-DFN2020MD(2x2) 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 标准包装:1 PMPB55ENEAX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 4A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):12nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):435pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.65W(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):56 毫欧 @ 10A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-DFN2020MD(2x2) 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 标准包装:1 PMR209MC6220M220R30 PMR209ME6470M047R30 PMR209ME6470M100R30 PMR209ME6470M220R30 PMR210MB5220M100R30 PMR210ME6100M100R30 PMR-2331 PM-R24 PM-R24-C3 PM-R24P PM-R24-R PM-R25 PM-R25-C3 PMR25HZPFU5L00 PMR25HZPFV1L00 PMR25HZPFV2L00 PMR25HZPFV3L00 PMR25HZPFV4L00
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