PMR403

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PMR403
深圳市芯睿晨科技有限公司
深圳市芯睿晨科技有限公司
联系人：李小姐/肖先生
电话：0755-8257149682571956
地址：赛格广场69楼6900
资质：营业执照
31045
SAMSUNG
QFN
21+
-
★绝对优势库存市场最低价！假一赔十★

PMR403A392094WC
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
200
VISHAY
NA
23+
-
位置传感器

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PMR403 技术参数

PMR400UN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.8A SOT416 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:800mA（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:480 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.89nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:43pF @ 25V 功率 - 最大值:530mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 PMR370XN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.84A SOT416 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:840mA（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:440 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.65nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:37pF @ 25V 功率 - 最大值:530mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 PMR290XN,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 0.97A SOT416 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:970mA（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:350 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:34pF @ 20V 功率 - 最大值:530mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 PMR290UNE,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 700MA SC-75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:700mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:380 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.68nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:83pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 PMR280UN,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 0.98A SOT416 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:980mA（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:340 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.89nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:45pF @ 20V 功率 - 最大值:530mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 PMR4ADW6.0 PMR4ADW6.0-CC PMR4BWD PMR4BWDW6.0 PMR4GD PMR4GDW4.0-CC PMR4GDW6.0 PMR4GDW6.0-CC PMR4HD PMR4HDW6.0 PMR4PGD PMR4PGDW2.0 PMR4PGDW6.0 PMR4PGDW6.0-CC PMR4RD PMR4RDW2.0 PMR4RDW6.0 PMR-4V320WCAA