PMV52ENEA

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PMV52ENEAR
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
Nexperia(安世)
SOT23
刚到货
-
代理可含税开票

PMV52ENEA
深圳市华创欧科技有限公司
深圳市华创欧科技有限公司
联系人：朱先生
电话：2394575513590206539
地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
10400
NEXPERIA
SOT23
2022+
-
原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0...

PMV52ENEA
深圳市杰世特电子有限公司
深圳市杰世特电子有限公司
联系人：林S
电话：18927460633
地址：深圳市福田区振华路118号华丽大厦2栋2单元535
0
2021
9800
QFN24
-
进口原装现货支持实单价优

PMV52ENEA
深圳市企诺德电子有限公司
深圳市企诺德电子有限公司
联系人：胡
电话：13480313979
地址：深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB
资质：营业执照
15000
NXP/恩智浦
SOT23
22+
-
原装正品专业BOM配单

PMV52ENEAR
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
Nexperia
22+
-
原装正品

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PMV52ENEA 技术参数

PMV50XPR 功能描述:MOSFET P-CH 20V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:744pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:490mW（Ta）, 4.63W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 3.6A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 PMV50UPE,215 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:15.7nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:24pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:66 毫欧 @ 3.2A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 PMV50EPEAR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:19.2nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:793pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）, 455mW（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 4.2A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 PMV50ENEAR 功能描述:MOSFET N-CH 30V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:276pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:510mW（Ta）, 3.9W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:43 毫欧 @ 3.9A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 PMV48XPAR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:11nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1000pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:510mW（Ta）, 4.15W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:55 毫欧 @ 2.4A，4.5V 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 PMV6-4F-L PMV6-4RB-2K PMV6-4R-L PMV6-4R-X PMV65ENEAR PMV6-5FB-2K PMV6-5F-L PMV6-5RB-2K PMV6-5R-L PMV6-5R-X PMV65UN,215 PMV65UNEAR PMV65UNER PMV65XP,215 PMV65XP/MIR PMV65XPEAR PMV65XPER PMV65XPVL