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配单专家企业名单

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说明
操作

PMW001A
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
AT-T
SOP24
●最新批号●
-
假一罚十，百分百原装正品

PMW001A
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
1500
原厂
SOP24
13+
-
全新原装，现货，价优！

PMW001A
深圳市特瑞斯科技有限公司
深圳市特瑞斯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8277481983249326
地址：销售一部：华强北上步工业区501栋401室销售二部：深圳市福田区红荔路上航大厦411室
资质：营业执照
15300
原厂封装
SOP24
20+
-
★★公司常备大量原装现货★★可开13%增...

PMW001A-E1
深圳市源运电子商行
深圳市源运电子商行
联系人：林先生
电话：15913992480
地址：深圳市龙岗区板田街道荔园新村55栋1楼
1626
NEC
SOP24
16+
-
全新原装现货

PMW001A-E1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
ATGT
SOP
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

PMW001A
甄芯网
甄芯网
联系人：柯先生/赵小姐
电话：0755-83665813
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907 门市部：中航路都会电子3C002B
资质：营业执照
1081
AT-T
SOP24
95
-
华强21C138自家库存供应

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PMW001A 技术参数

PMV90ENER 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:5.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:160pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:460mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:72 毫欧 @ 3A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 PMV90EN,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.9A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:84 毫欧 @ 1.9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:132pF @ 15V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:1 PMV75UP,215 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:7.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:550pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:490mW（Ta）, 5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:102 毫欧 @ 2.5A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 PMV65XPER 功能描述:MOSFET P-CH 20V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:9nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:618pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:480mW（Ta）, 6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:78 毫欧 @ 2.8A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 PMV65XPEAR 功能描述:MOSFET P-CH 20V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:9nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:618pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:480mW（Ta）, 6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:78 毫欧 @ 2.8A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 PMXB350UPEZ PMXB360ENEA PMXB360ENEAZ PMXB40UNE PMXB40UNEZ PMXB43UNE PMXB43UNEZ PMXB56EN PMXB56ENZ PMXB65ENE PMXB65ENEZ PMXB65UPEZ PMXB75UPEZ PM-Y44 PM-Y44-C3 PM-Y44P PM-Y44P-C3 PM-Y45