PMXB360ENEAZ_代理商_批发/采购【买卖IC网】PMXB360ENEAZ

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PMXB360ENEAZ
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
5000
NEXPERIA/安世
SOT1215
19+
-

PMXB360ENEAZ
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
NXP Semiconductors
DFN1010D-3
17+
-
全新原装现货

PMXB360ENEAZ
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中7楼7B30
69880
NEXPERIA/安世
SOT1215
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

PMXB360ENEAZ
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
DFN1010D-3
18+
-
MOSFET N-CH 80V 1.1A...

PMXB360ENEAZ
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
50
NEXPERIA
NA
23+
-
现货！就到京北通宇商城

PMXB360ENEAZ
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：中国上海
50
NEXPERIA
NA
23+
-
查现货！就到京北通宇商城

PMXB360ENEAZ
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：雷小姐
电话：0755-2391507123915070（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）
地址：华强街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
13105
NEXPERIA/安世
NA
20+
-
进口原装正品假一赔十

PMXB360ENEAZ 存储IC
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：张先生/雷小姐
电话：0755-83795896
地址：深圳市福田区华强北街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
34000
NEXPERIA/安世
21+原厂授权
-
★原厂授权★价超代理★

PMXB360ENEAZ
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
Nexperia(安世)
SOT1215
刚到货
-
代理可含税开票

PMXB360ENEAZ
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
50
NEXPERIA
con
23+
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价ww...

PMXB360ENEAZ
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
NEXPERIA
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

PMXB360ENEAZ
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
10000
PHA
SOT1215
15+
-
原装正品，价格优势！

PMXB360ENEAZ
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：林S
电话：400-666-5385
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
5000
NEXPERIA/安世
SOT1215
21+
-
百域芯优势实单必成可开13点增值税

PMXB360ENEAZ
深圳市信通吉电子有限公司
深圳市信通吉电子有限公司
联系人：冯
电话：17841084408
地址：深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和大厦B座20
38000
Nexpe原装正品
SOT1215
19+
-
香港总公司18年专业电子元器件现货供应商

PMXB360ENEAZ
深圳庞田科技有限公司
深圳庞田科技有限公司
联系人：吴小姐
电话：13612858787
地址：深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A
50000
NEXPERIA/安世
SOT1215
21+原装
-
庞田无假货，只做原装正品，货真价实欢迎前...

PMXB360ENEAZ
深圳市企诺德电子有限公司
深圳市企诺德电子有限公司
联系人：胡
电话：13480313979
地址：深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB
资质：营业执照
15000
NXP
N/A
22+
-
原装正品专业BOM配单

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
PMXB360ENEA/DFN1010D-3/REEL90DEGREET// - Tape and Reel

PMXB360ENEAZ 技术参数

PMXB360ENEA 功能描述:MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:4.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:130pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta），6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:450 毫欧 @ 1.1A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN1010D-3 封装/外壳:3-XDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMXB350UPE 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:116pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），5.68W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:447 毫欧 @ 1.2A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN1010D-3 封装/外壳:3-XDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMXB120EPE 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:11nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:309pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta），8.3W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 2.4A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN1010D-3 封装/外壳:3-XDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMWD30UN,518 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:33 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:28nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1478pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:1 PMWD26UN,518 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.8A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:23.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1366pF @ 16V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:1 PMXB75UPEZ PM-Y44 PM-Y44-C3 PM-Y44P PM-Y44P-C3 PM-Y45 PM-Y45-C3 PM-Y45-P PM-Y45-P-C3 PM-Y54 PM-Y54P PM-Y64 PM-Y64P PM-Y65 PM-Y65-P PMZ1000UN,315 PMZ1200UPEYL PMZ130UNEYL