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PMZ2081MD6100M100J105

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  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

  • 38

  • EVOX RIFA / KEMET

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  • 深圳市铭昌源科技有限公司
    深圳市铭昌源科技有限公司

    联系人:优质现货代理商

    电话:0755-82774613邓先生(13480915249)微信同步0755-82774613邓先生

    地址:深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室

    资质:营业执照

  • 13840

  • EVOX RIFA / KEMET

  • SMD

  • 22+

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  • 优势代理,公司现货可开票

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:

    电话:13355446829

    地址:中国上海

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  • EVOX RIFA / KEMET

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 10000

  • Evox Rifa / KEMET

  • 标准封装

  • 15+

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  • 原装正品质量保障

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  • 深圳市盛芯世纪科技有限公司
    深圳市盛芯世纪科技有限公司

    联系人:杨先生,www.dz-ic.cn

    电话:0755-8397991513312996395

    地址:深圳市福田区中航路都会100大厦B座6F

    资质:营业执照

  • 0

  • EVOX RIFA / KEMET

  • EVOX RIFA / KEMET

  • 21+

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  • 原装正品www.dz-ic.cn

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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13305449939

    地址:深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室

    资质:营业执照

  • 38

  • EVOX RIFA / KEMET

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  • 2023/04/17

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  • PMZ2081MD6100M100J105
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  • 深圳市品业电子有限公司
    深圳市品业电子有限公司

    联系人:李小姐

    电话:0755-23895664

    地址:华强街道振华路深纺大厦C座2楼2H55

  • 38

  • EVOX RIFA / KEMET

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PMZ2081MD6100M100J105 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商
  • Evox Rifa / KEMET
  • 功能描述
  • Radial contact supp,100nF 100R 250Vac
PMZ2081MD6100M100J105 技术参数
  • PMZ200UNEYL 功能描述:MOSFET N-CH 30V SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.4A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):2.7nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):89pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):350mW(Ta), 6.25W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):250 毫欧 @ 1.4A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DFN1006-3 封装/外壳:SC-101,SOT-883 标准包装:1 PMZ130UNEYL 功能描述:MOSFET N-CH 20V SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.8A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):1.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):93pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):350mW(Ta), 6.25W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):150 毫欧 @ 1.8A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DFN1006-3 封装/外壳:SC-101,SOT-883 标准包装:1 PMZ1200UPEYL 功能描述:MOSFET P-CH 30V SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):410mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):1.2nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):43.2pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):310mW(Ta), 1.67W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 410mA,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DFN1006-3 封装/外壳:SC-101,SOT-883 标准包装:1 PMZ1000UN,315 功能描述:MOSFET N-CH SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):480mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):0.89nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):43pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):350mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1 欧姆 @ 200mA,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DFN1006-3 封装/外壳:SC-101,SOT-883 标准包装:1 PM-Y65-P 功能描述:SENSOR SLOT PNP 制造商:panasonic industrial automation sales 系列:PM-65 零件状态:有效 感应距离:0.236"(6mm) 感应方法:可传导的 输出配置:PNP - 开路集电极 安装类型:底座安装 电流 - 电源:15mA 电压 - 电源:5 V ~ 24 V 响应时间:20μs 工作温度:-25°C ~ 55°C(TA) 封装/外壳:模块,连接器,槽型 标准包装:1 PMZ390UN,315 PMZ390UNEYL PMZ420UNYL PMZ550UNEYL PMZ600UNELYL PMZ600UNEYL PMZ760SN,315 PMZ950UPELYL PMZ950UPEYL PMZB1200UPEYL PMZB150UNEYL PMZB200UNEYL PMZB290UN,315 PMZB290UNE,315 PMZB290UNE2YL PMZB300XN,315 PMZB320UPEYL PMZB350UPE,315
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