PMZB420UN_代理商_批发/采购【买卖IC网】PMZB420UN

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PMZB420UN
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
NXP/恩智浦
SOT-883
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

PMZB420UN,315
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
NXP Semiconductors
3-DFN1006B
17+
-
全新原装现货

PMZB420UN
深圳市德江源电子有限公司
深圳市德江源电子有限公司
联系人：张先生
电话：8296641615986789713
地址：深圳市福田区华强北街道振华路100号深纺大厦C座1A层1A621室
资质：营业执照
2125
NXP/恩智浦
DFN3
13+15+
-
只做原装，假一赔十

PMZB420UN
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
13620
NXP
SOT883B
22+
-
只做全新原装正品现货

PMZB420UN
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
NXP
QFN
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

PMZB420UN,315
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
10000
PHA
SOT883
15+
-
原装正品，价格优势！

PMZB420UN,315
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
12000
NXP
XQFN3
13+
-
原装正品，现货库存

PMZB420UN,315
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
3-DFN1006B（0.6x1）
18+
-
MOSFET N-CH 30V SGL ...

PMZB420UN,315
深圳市金嘉旭贸易有限公司
深圳市金嘉旭贸易有限公司
联系人：金
电话：0755-832599640755-23884416
地址：中航北苑A座7A5
1351
NXP
N/A
18+
-
进口原装特价出售

PMZB420UN
深圳庞田科技有限公司
深圳庞田科技有限公司
联系人：吴小姐
电话：13612858787
地址：深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A
12500
NXP/恩智浦
SOT883
21+原装
-
庞田无假货，只做原装正品，货真价实欢迎前...

PMZB420UN
深圳市泽芯微科技有限公司
深圳市泽芯微科技有限公司
联系人：柯小姐
电话：0755-8273028382732023
地址：中航路新亚洲国利大厦A座24层12室
10000
nxp
sot-883
14+pb
-
进口原装现货，一定自己库存

PMZB420UN,315
深圳市企诺德电子有限公司
深圳市企诺德电子有限公司
联系人：胡
电话：13480313979
地址：深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB
资质：营业执照
15000
NXP
N/A
22+
-
原装正品专业BOM配单

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET N-CH 30V SOT883B
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET, N-CH, 30V, SOT883B
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET, N-CH, 30V, SOT883B; Transistor Polarity

PMZB420UN 技术参数

PMZB390UNEYL 功能描述:MOSFET N-CH 30V SGL XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:900mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1.3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:41pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta），5.43W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:470 毫欧 @ 900mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN1006B-3 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 PMZB380XN,315 功能描述:MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:930mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:460 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.87nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:56pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:3-DFN1006B（0.6x1）标准包装:1 PMZB370UNE,315 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:900mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.05V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1.16nC @ 15V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:78pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），2.7W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:490 毫欧 @ 500mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:3-DFN1006B（0.6x1）封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 PMZB350UPE,315 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1.9nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:127pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），3.125W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:450 毫欧 @ 300mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:3-DFN1006B（0.6x1）封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 PMZB320UPEYL 功能描述:MOSFET P-CH 30V SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1.4nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:122pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）, 6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:510 毫欧 @ 1A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN1006B-3 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 PN01147AAD PN01224AAD PN01262AAD PN01868 PN01922 PN05203 PN05205 PN05206 PN05280 PN05508 PN06480 PN06535 PN06541 PN06542 PN06543 PN06580 PN06586 PN08017