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PN1010PB-DVB-S

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PN1010PB-DVB-S 技术参数
  • PN10-10F-D 功能描述:Yellow 10 Stud Spade Terminal Connector Crimp 10-12 AWG 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包装:散装 零件状态:有效 端子类型:标准 螺柱/凸片尺寸:10 接线柱 宽度 - 外边缘:0.370"(9.40mm) 长度 - 总:1.040"(26.42mm) 安装类型:自由悬挂 端接:压接 线规:10-12 AWG 绝缘:绝缘 特性:- 颜色:黄 触头镀层:锡 触头材料:铜 绝缘层直径:0.225"(5.72mm) 材料 - 绝缘:聚酰胺(PA),尼龙 长度 - 环中心到端子:- 长度 - 端子:- 舌簧内开口:0.200"(5.08mm) 标准包装:500 PMZB950UPEYL 功能描述:MOSFET P-CH 20V XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):500mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):2.1nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):43pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta),2.7W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 500mA,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DFN1006B-3 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 PMZB950UPELYL 功能描述:MOSFET P-CH 20V 500MA 3DFN1006B 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):500mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):2.1nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):43pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 500mA,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:3-DFN1006B(0.6x1) 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 PMZB790SN,315 功能描述:MOSFET N-CH 60V SGL 3DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):650mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):940 毫欧 @ 300mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.37nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):35pF @ 30V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:3-DFN1006B(0.6x1) 标准包装:1 PMZB670UPE,315 功能描述:MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):680mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):1.14nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):87pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta),2.7W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):850 毫欧 @ 400mA,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:3-DFN1006B(0.6x1) 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 PN10-12R-E PN10-12R-Q PN10-14F-2K PN10-14F-D PN10-14F-L PN10-14LF-D PN10-14LF-L PN10-14R-2K PN10-14R-D PN10-14R-E PN10-14R-L PN10-14RX-L PN10-14SLF-L PN10-38R-2K PN10-38R-D PN10-38R-E PN10-38R-L PN10-38RX-L
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