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PSMN009-100B/T3

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  • PSMN009-100B/T3
    PSMN009-100B/T3

    PSMN009-100B/T3

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

  • PHI

  • 标准封装

  • 08+

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  • 全新原装100%正品保证质量

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PSMN009-100B/T3 技术参数
  • PSMN009-100B,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):156nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):8250pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):230W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.8 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 PSMN008-75B,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):122.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):5260pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):230W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.5 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 PSMN005-75B,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc) 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):165nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):8250pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):230W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 PSMN004-60B,118 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):168nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):8300pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):230W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.6 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 PSM900JB-47R 功能描述:RES 47 OHM 9W 5% RADIAL 制造商:yageo 系列:PSM 包装:散装 零件状态:有效 电阻(欧姆):47 容差:±5% 功率(W):9W 成分:绕线 特性:抗电弧,耐燃,防潮,安全 温度系数:- 工作温度:-55°C ~ 350°C 封装/外壳:径向 供应商器件封装:- 大小/尺寸:1.496" 长 x 0.354" 宽(38.00mm x 9.00mm) 高度:0.409"(10.40mm) 端子数:2 标准包装:200 PSMN011-80YS,115 PSMN012-100YLX PSMN012-100YS,115 PSMN012-25YLC,115 PSMN012-60YS,115 PSMN012-80BS,118 PSMN012-80PS,127 PSMN013-100BS,118 PSMN013-100ES,127 PSMN013-100PS,127 PSMN013-100XS,127 PSMN013-100YSEX PSMN013-30LL,115 PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30YLC,115 PSMN013-60YLX PSMN013-80YS,115 PSMN014-40YS,115
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