您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > P字母型号搜索 >

PSMN016-100XS

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • PSMN016-100XS
    PSMN016-100XS

    PSMN016-100XS

  • 深圳市华盛锦科技有限公司
    深圳市华盛锦科技有限公司

    联系人:雷小姐

    电话:0755-2391507123915070(承诺只售原装正品,终端BOM配单一站式服务)

    地址:华强街道赛格广场55楼5566室

    资质:营业执照

  • 65000

  • NXP/恩智浦

  • TO-220F

  • 1127+PB

  • -
  • ★★★真实库存,假一赔十,原厂授权★★★

  • PSMN016-100XS
    PSMN016-100XS

    PSMN016-100XS

  • 深圳市华盛锦科技有限公司
    深圳市华盛锦科技有限公司

    联系人:张先生/雷小姐

    电话:0755-8279802015814679726(承诺只售原装正品,终端BOM配单一站式服务)

    地址:华强街道赛格广场55楼5566室

    资质:营业执照

  • 15000

  • NXP/恩智浦

  • TO-220F

  • 21+原厂授权

  • -
  • ★原厂授权★价超代理★

  • PSMN016-100XS
    PSMN016-100XS

    PSMN016-100XS

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:严艺浦

    电话:18682365538

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • NXP/恩智浦

  • TO-220F

  • 23+

  • -
  • 原装正品 欢迎咨询

  • PSMN016-100XS
    PSMN016-100XS

    PSMN016-100XS

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • NXP/恩智浦

  • TO-220F

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • PSMN016-100XS,127
    PSMN016-100XS,127

    PSMN016-100XS,127

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • TO-220F

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 100V 32....

  • PSMN016-100XS,127
    PSMN016-100XS,127

    PSMN016-100XS,127

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • NXP Semiconductors

  • TO-220F

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • PSMN016-100XS
    PSMN016-100XS

    PSMN016-100XS

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 95

  • NXP

  • TO-220F

  • 1127+pb

  • -
  • 全新原装现货

  • PSMN016-100XS
    PSMN016-100XS

    PSMN016-100XS

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • NXP

  • TO-220F

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • PSMN016-100XS,127
    PSMN016-100XS,127

    PSMN016-100XS,127

  • 深圳市华诺星科技有限公司
    深圳市华诺星科技有限公司

    联系人:胡泽君

    电话:18998911795

    地址:深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602

    资质:营业执照

  • 1000

  • NXP USA Inc.

  • 原厂封装

  • 20+

  • -
  • PSMN016-100XS,127
    PSMN016-100XS,127

    PSMN016-100XS,127

  • 深圳市华诺星科技有限公司
    深圳市华诺星科技有限公司

    联系人:廖小姐

    电话:18998919871

    地址:深圳市福田区振兴路上步工业区405栋6楼601-602

  • 1000

  • NXP USA Inc.

  • 带卷(TR)

  • 20+

  • -
  • 原装正品,专注原装正品十五年

  • 1/1页 40条/页 共27条 
  • 1
PSMN016-100XS PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET, N-CH, 100V, 32.1A, TO220F
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET, N-CH, 100V, 32.1A, TO220F, Transistor Polarity
PSMN016-100XS 技术参数
  • PSMN016-100PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):57A(Tj) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):49nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2404pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):148W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):16 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN016-100BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):57A(Tj) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):49nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2404pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):148W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):16 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 PSMN015-60PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):50A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):20.9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1220pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):86W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):14.8 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN015-60BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):50A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):20.9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1220pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):86W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):14.8 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 PSMN015-110P,127 功能描述:MOSFET N-CH 110V 75A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):110V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4900pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):300W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN018-100ESFQ PSMN018-100PSFQ PSMN018-80YS,115 PSMN019-100YLX PSMN020-100YS,115 PSMN020-150W,127 PSMN020-30MLCX PSMN021-100YLX PSMN022-30BL,118 PSMN022-30PL,127 PSMN023-40YLCX PSMN023-80LS,115 PSMN025-100D,118 PSMN025-80YLX PSMN026-80YS,115 PSMN027-100BS,118 PSMN027-100PS,127 PSMN027-100XS,127
配单专家

在采购PSMN016-100XS进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买PSMN016-100XS产品风险,建议您在购买PSMN016-100XS相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的PSMN016-100XS信息由会员自行提供,PSMN016-100XS内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号