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PSMN019-100YL

配单专家企业名单
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  • PSMN019-100YLX
    PSMN019-100YLX

    PSMN019-100YLX

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人：鑫科润

    电话：185210072361851602286718516022897

    地址：上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • NXP Semiconductors

  • *

  • 17+

  • -

  • 全新原装现货

  • PSMN019-100YLX
    PSMN019-100YLX

    PSMN019-100YLX

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人：吴经理

    电话：18138401919

    地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中7楼7B30

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SOT669

  • 2021+

  • -

  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • PSMN019-100YLX
    PSMN019-100YLX

    PSMN019-100YLX

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-62962871629687318256329162961347

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质：营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • PSMN019-100YLX
    PSMN019-100YLX

    PSMN019-100YLX

  • 深圳市创芯弘科技有限公司
    深圳市创芯弘科技有限公司

    联系人：(2014年前十佳IC供应商)

    电话：13410000176

    地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......

    资质：营业执照

  • 369800

  • Nexperia(安世)

  • SOT669

  • 刚到货

  • -

  • 代理可含税开票

  • PSMN019-100YL,115
    PSMN019-100YL,115

    PSMN019-100YL,115

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人：廖先生

    电话：13612973190

    地址：广东省深圳市华强北上航大厦西座410室

  • 9000

  • Nexperia

  • -

  • 22+

  • -

  • 原厂渠道，现货配单

  • PSMN019-100YLX
    PSMN019-100YLX

    PSMN019-100YLX

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：朱先生/李小姐

    电话：0755-2394163213723794312（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • Nexperia

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理.原装特价现货！

  • PSMN019-100YLX
    PSMN019-100YLX

    PSMN019-100YLX

  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人：王小姐

    电话：0755-8363553213751165621

    地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室

    资质：营业执照

  • 463

  • Nexperia USA Inc.

  • SC-100，SOT-669

  • 17+

  • -

  • 原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

  • PSMN019-100YLX
    PSMN019-100YLX

    PSMN019-100YLX

  • 深圳市信通吉电子有限公司
    深圳市信通吉电子有限公司

    联系人：冯

    电话：17841084408

    地址：深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和大厦B座20

  • 38000

  • Nexpe原装正品

  • SOT669

  • 19+

  • -

  • 香港总公司18年专业电子元器件现货供应商

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  • 1
PSMN019-100YL PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
PSMN019-100YL 技术参数
  • PSMN018-80YS,115 功能描述:MOSFET N-CH 80V 45A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:45A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:26nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1640pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:89W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:18 毫欧 @ 5A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN017-80PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 80V TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:26nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1573pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:103W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:17 毫欧 @ 10A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN017-80BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:26nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1573pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:103W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:17 毫欧 @ 10A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 PSMN017-60YS,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:44A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:20nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1172pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:74W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15.7 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN017-30PL,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V 32A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:32A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:10.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:552pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:45W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:17 毫欧 @ 10A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN025-100D,118 PSMN025-80YLX PSMN026-80YS,115 PSMN027-100BS,118 PSMN027-100PS,127 PSMN027-100XS,127 PSMN028-100YS,115 PSMN030-150B,118 PSMN030-150P,127 PSMN030-60YS,115 PSMN034-100BS,118 PSMN034-100PS,127 PSMN035-100LS,115 PSMN035-150B,118 PSMN035-150P,127 PSMN038-100K,518 PSMN038-100YLX PSMN039-100YS,115
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