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PSMN2R7-30BL

配单专家企业名单
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  • PSMN2R7-30BL,118
    PSMN2R7-30BL,118

    PSMN2R7-30BL,118

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人：陈小姐

    电话：0755-8320801015711992892

    地址：都会轩3607

    资质：营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • D2PAK

  • 18+

  • -

  • MOSFET N-CH 30V 100A...

  • PSMN2R7-30BL,118
    PSMN2R7-30BL,118

    PSMN2R7-30BL,118

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人：鑫科润

    电话：185210072361851602286718516022897

    地址：上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • NXP Semiconductors

  • D2PAK

  • 17+

  • -

  • 全新原装现货

  • PSMN2R7-30BL,118
    PSMN2R7-30BL,118

    PSMN2R7-30BL,118

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-62962871629687318256329162961347

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质：营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • PSMN2R7-30BL
    PSMN2R7-30BL

    PSMN2R7-30BL

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 118

  • 1075

  • 1521+

  • NXP SEMIC

  • -

  • DIGI-REEL?

  • PSMN2R7-30BL,118
    PSMN2R7-30BL,118

    PSMN2R7-30BL,118

  • 深圳市创芯弘科技有限公司
    深圳市创芯弘科技有限公司

    联系人：(2014年前十佳IC供应商)

    电话：13410000176

    地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......

    资质：营业执照

  • 369800

  • Nexperia(安世)

  • SOT404

  • 刚到货

  • -

  • 代理可含税开票

  • PSMN2R7-30BL
    PSMN2R7-30BL

    PSMN2R7-30BL

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人：张小姐

    电话：15961889159

    地址：江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质：营业执照

  • 5000

  • isc,iscsemi

  • D2PAK/TO-263

  • 2024+

  • -

  • 国产品牌，可替代原装

  • PSMN2R7-30BL
    PSMN2R7-30BL

    PSMN2R7-30BL

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：朱先生/李小姐

    电话：0755-2394163213723794312（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • NXP

  • D2PAK

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理.原装特价现货！

  • PSMN2R7-30BL,118
    PSMN2R7-30BL,118

    PSMN2R7-30BL,118

  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人：王小姐

    电话：0755-8363553213751165621

    地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室

    资质：营业执照

  • 85

  • Nexperia USA Inc.

  • TO-263-3，D?Pak（2 引线

  • 17+

  • -

  • 原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

  • PSMN2R7-30BL
    PSMN2R7-30BL

    PSMN2R7-30BL

  • 深圳市信通吉电子有限公司
    深圳市信通吉电子有限公司

    联系人：冯

    电话：17841084408

    地址：深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和大厦B座20

  • 38000

  • Nexpe原装正品

  • SOT404A

  • 19+

  • -

  • 香港总公司18年专业电子元器件现货供应商

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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET, N-CH, 30V, 100A, D2PAK
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET, N-CH, 30V, 100A, D2PAK; Transistor Polarity
PSMN2R7-30BL 技术参数
  • PSMN2R6-60PSQ 功能描述:MOSFET N-CH 60V 150A TO-220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:150A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:140nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7629pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:326W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.6 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN2R6-40YS,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:63nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3776pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:131W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.8 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN2R6-30YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:39nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2435pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:106W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.8 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN2R5-60PLQ 功能描述:MOSFET N-CH 60V 1.5A TO-220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:150A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:223nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:349W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.6 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN2R5-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:57nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3468pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:88W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.4 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN3R0-30YL,115 PSMN3R0-30YLDX PSMN3R0-60BS,118 PSMN3R0-60ES,127 PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R2-25YLC,115 PSMN3R2-30YLC,115 PSMN3R3-40YS,115 PSMN3R3-60PLQ PSMN3R3-80BS,118 PSMN3R3-80ES,127 PSMN3R3-80PS,127 PSMN3R4-30BL,118 PSMN3R4-30BLE,118 PSMN3R4-30PL,127 PSMN3R5-25MLDX PSMN3R5-30LL,115 PSMN3R5-30YL,115
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