您好，欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
网站首页 | 采购商服务 | 会员服务 | 北京 010-87982920 | 深圳 0755-82701186 | 网站导航
产品
管理采购 发布采购信息
您现在的位置：买卖IC网 > P字母型号搜索 >

PSMN3R3-80ES

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • PSMN3R3-80ES,22+27
    PSMN3R3-80ES,22+27

    PSMN3R3-80ES,22+27

  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人：王女士

    电话：13969210552

    地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）

    资质：营业执照

  • 4500

  • NEXPERIA

  • NA

  • 近两年

  • -

  • 查货可到京北通宇商城www.jbchip...

  • PSMN3R3-80ES
    PSMN3R3-80ES

    PSMN3R3-80ES

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人：张先生

    电话：0755-23903058

    地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • NXP/恩智浦

  • TO-262

  • 22+

  • -

  • 每一片都来自原厂，正品保证

  • PSMN3R3-80ES,127
    PSMN3R3-80ES,127

    PSMN3R3-80ES,127

  • 深圳市创芯弘科技有限公司
    深圳市创芯弘科技有限公司

    联系人：(2014年前十佳IC供应商)

    电话：13410000176

    地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......

    资质：营业执照

  • 369800

  • Nexperia(安世)

  • SOT226

  • 刚到货

  • -

  • 代理可含税开票

  • PSMN3R3-80ES,127
    PSMN3R3-80ES,127

    PSMN3R3-80ES,127

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人：陈小姐

    电话：0755-8320801015711992892

    地址：都会轩3607

    资质：营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • I2PAK

  • 18+

  • -

  • MOSFET N-CH 80V 120A...

  • PSMN3R3-80ES
    PSMN3R3-80ES

    PSMN3R3-80ES

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 127

  • 2325

  • 1521+

  • NXP SEMIC

  • -

  • 管件

  • PSMN3R3-80ES,127
    PSMN3R3-80ES,127

    PSMN3R3-80ES,127

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人：鑫科润

    电话：185210072361851602286718516022897

    地址：上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • NXP Semiconductors

  • I2PAK

  • 17+

  • -

  • 全新原装现货

  • PSMN3R3-80ES
    PSMN3R3-80ES

    PSMN3R3-80ES

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人：严艺浦

    电话：18682365538

    地址：上步工业区501栋410室

  • 20000

  • NXP/恩智浦

  • TO-262

  • 23+

  • -

  • 原装正品 欢迎咨询

  • PSMN3R3-80ES
    PSMN3R3-80ES

    PSMN3R3-80ES

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人：张小姐

    电话：15961889159

    地址：江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质：营业执照

  • 10000

  • isc,iscsemi

  • I2PAK/TO-262

  • 2024+

  • -

  • 国产品牌，可替代原装

  • PSMN3R3-80ES
    PSMN3R3-80ES

    PSMN3R3-80ES

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：朱先生/李小姐

    电话：0755-2394163213723794312（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • NXP/PH

  • 2PAK

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理.原装特价现货！

  • PSMN3R3-80ES
    PSMN3R3-80ES

    PSMN3R3-80ES

  • 深圳市信通吉电子有限公司
    深圳市信通吉电子有限公司

    联系人：冯

    电话：17841084408

    地址：深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和大厦B座20

  • 38000

  • Nexpe原装正品

  • SOT226

  • 19+

  • -

  • 香港总公司18年专业电子元器件现货供应商

  • 1/1页 40条/页 共21条 
  • 1
PSMN3R3-80ES PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
PSMN3R3-80ES PDF下载
  • 制造商
  • PHILIPS
  • 制造商全称
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • N-channel 80 V, 3.3 mΩ standard level MOSFET in I2PAK
PSMN3R3-80ES 技术参数
  • PSMN3R3-80BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:111nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:8161pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:306W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 PSMN3R3-60PLQ 功能描述:MOSFET N-CH 60V 130A TO-220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:130A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:95nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:10115pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:293W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.4 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN3R3-40YS,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:49nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2754pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:117W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.3 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN3R2-30YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:29.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2081pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:92W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN3R2-25YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.4 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1781pF @ 12V 功率 - 最大值:79W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供应商器件封装:LFPAK， 电源-SO8 标准包装:1 PSMN3R5-80PS,127 PSMN3R7-25YLC,115 PSMN3R7-30YLC,115 PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-30LL,115 PSMN3R9-25MLC,115 PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60XSQ PSMN4R0-25YLC,115 PSMN4R0-30YL,115 PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-60YS,115 PSMN4R1-30YLC,115 PSMN4R1-60YLX PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-60PLQ PSMN4R3-100ES,127
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
配单专家
发布配单采购
PSMN3R3-80ES推荐型号
PSMN3R3-80ES相关热门型号

在采购PSMN3R3-80ES进货过程中，您使用搜索有什么问题和建议？点此反馈

友情提醒：为规避购买PSMN3R3-80ES产品风险，建议您在购买PSMN3R3-80ES相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明：以上所展示的PSMN3R3-80ES信息由会员自行提供，PSMN3R3-80ES内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号