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PT481213TG-7

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  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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PT481213TG-7 技术参数
  • PT4810F 功能描述:PHOTO TRANS BLACK LEN 860NM SIDE 制造商:sharp microelectronics 系列:* 包装:管件 零件状态:过期 电压 - 集射极击穿(最大值):35V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 电流 - 暗(Id)(最大值):1mA 波长:860nm 视角:70° 功率 - 最大值:75mW 安装类型:通孔 朝向:侧视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向 标准包装:50 PT4810E0000F 功能描述:PHOTO TRANS BLUE LEN 800NM SIDE 制造商:sharp microelectronics 系列:* 包装:管件 零件状态:过期 电压 - 集射极击穿(最大值):35V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 电流 - 暗(Id)(最大值):1mA 波长:800nm 视角:70° 功率 - 最大值:75mW 安装类型:通孔 朝向:侧视图 工作温度:- 封装/外壳:径向 标准包装:50 PT4810 功能描述:PHOTO TRANS BLUE LEN 800NM SIDE 制造商:sharp microelectronics 系列:* 包装:管件 零件状态:过期 电压 - 集射极击穿(最大值):35V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 电流 - 暗(Id)(最大值):1mA 波长:800nm 视角:70° 功率 - 最大值:75mW 安装类型:通孔 朝向:侧视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向 标准包装:50 PT481 功能描述:PHOTO TRANS BLUE LEN 800NM SIDE 制造商:sharp microelectronics 系列:* 包装:管件 零件状态:过期 电压 - 集射极击穿(最大值):35V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 电流 - 暗(Id)(最大值):1mA 波长:800nm 视角:70° 功率 - 最大值:75mW 安装类型:通孔 朝向:侧视图 工作温度:- 封装/外壳:径向 标准包装:50 PT480FE0000F 功能描述:PHOTO TRANS BLACK LEN 860NM SIDE 制造商:sharp microelectronics 系列:* 包装:管件 零件状态:过期 电压 - 集射极击穿(最大值):35V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):20mA 电流 - 暗(Id)(最大值):100μA 波长:860nm 视角:70° 功率 - 最大值:75mW 安装类型:通孔 朝向:侧视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向 标准包装:50 PT4823A PT4823C PT4823N PT4824A PT4824C PT4824N PT4825A PT4825C PT4825N PT4826A PT4826C PT4826N PT4827A PT4827C PT4827N PT4828A PT4828C PT4828N
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