PUMB30

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
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封装
批号
价格
说明
操作

PUMB30
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
5000
NXP
SOT363
10+
-
原装现货优势库存

PUMB30
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
15000
PHILIPS
SOT363
06pbf
-
全新原装现货

PUMB30,115
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中7楼7B40
69880
NEXPERIA/安世
SOT363
26+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

PUMB30
甄芯网
甄芯网
联系人：柯先生/赵小姐
电话：0755-83665813
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907 门市部：中航路都会电子3C002B
资质：营业执照
3000
PHILIPS
SOT363
06PBF
-
绝对进口原装现货真实库存

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制造商
PHILIPS
制造商全称
NXP Semiconductors
功能描述
Low VCEsat (BISS) transistors

PUMB30 技术参数

PUMB3,115 功能描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:4.7 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 PUMB2,115 功能描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:47 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:47 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 基本零件编号:MB2 标准包装:1 PUMB13,115 功能描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:4.7 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:47 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 PUMB11,115 功能描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:10 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:10 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 基本零件编号:MB11 标准包装:1 PUMB10,115 功能描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:2.2 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:47 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 频率 - 跃迁:180MHz 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 基本零件编号:MB10 标准包装:1 PUMD12/DG/B3,115 PUMD13,115 PUMD13,135 PUMD14,115 PUMD15,115 PUMD15,135 PUMD16,115 PUMD16/ZLX PUMD17,115 PUMD18,115 PUMD19,115 PUMD2,115 PUMD2,125 PUMD2,165 PUMD2/DG/B3,115 PUMD2/DG/B3,135 PUMD20,115 PUMD24,115