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PUMD6,115
参数信息:

功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7

RoHS:

制造商:ON Semiconductor

配置:

晶体管极性:NPN/PNP

典型输入电阻器:

典型电阻器比率:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:

直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA

最大工作频率:

集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V

集电极连续电流:150 mA

峰值直流集电极电流:

功率耗散:200 mW

最大工作温度:

封装:Reel

PUMD6,115技术参数

PUMD6,125 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TransDigital BJT NPN PNP 50V 100mA 6-Pin RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel PUMD6,135 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN/PNP RESISTOR EQUIPPED TRANSISTOR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel PUMD6115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: PUMD9 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR DIGITAL DUAL SOT-363 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, DIGITAL, DUAL, SOT-363 PUMD9 /T2 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET DOUBLE TAPE-11 REV RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel PUMD9 T/R 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel PUMD9,115 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel PUMD9,135 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET DOUBLE TAPE-11 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel PUMD9,165 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET DOUBLE RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel PUMD9115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BRT TRANSISTOR NPN & PNP 50V 100MA 1 PX1011A-EL1,551 PX1011A-EL1/G,551 PX1011A-EL1/G,557 PX1011A-EL1:557 PX1011AI-EL1/G,551 PX1011AI-EL1/G,557 PX1011B-EL1/G,551 PX1011B-EL1/G,557 PX1011B-EL1/N,551 PX1011B-EL1/N,557 PX1011B-EL1/Q900,5 PX1011B-EL1/Q900'5 PX1011BI-EL1/G,518 PX1011BI-EL1/G,551 PX1011BI-EL1/G,557 PX1012A-EL1/G,551 PX1012A-EL1/G,557 PX1012AI-EL1/G,551