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PUMD9115

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    PUMD9115

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  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人:廖先生

    电话:13612973190

    地址:广东省深圳市华强北上航大厦西座410室

  • 9000

  • NXP

  • -

  • 22+

  • -
  • 原厂渠道,现货配单

  • PUMD9115
    PUMD9115

    PUMD9115

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • PH

  • 07+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • PUMD9115
    PUMD9115

    PUMD9115

  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

  • 1001000

  • Nexperia

  • 3K/reel

  • 23+

  • -
  • 原厂原装正品现货

  • PUMD9115
    PUMD9115

    PUMD9115

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • NXP

  • 原厂封装

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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • BRT TRANSISTOR NPN & PNP 50V 100MA 1
PUMD9115 技术参数
  • PUMD9,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250μA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 基本零件编号:P*MD9 标准包装:1 PUMD6,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 1mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250μA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 基本零件编号:P*MD6 标准包装:1 PUMD48,165 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):47 千欧,2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,5V / 100 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA / 100mV @ 250μA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 基本零件编号:P*MD48 标准包装:1 PUMD48,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):47 千欧,2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,5V / 100 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA / 100mV @ 250μA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 PUMD4,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 1mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 PUMH10Z PUMH11,115 PUMH11F PUMH13,115 PUMH13F PUMH14,115 PUMH15,115 PUMH16,115 PUMH17,115 PUMH17F PUMH18,115 PUMH19,115 PUMH2,115 PUMH2/DG/B3,115 PUMH20,115 PUMH24,115 PUMH2F PUMH30,115
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