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PUMH11/H

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  • PUMH11/H11
    PUMH11/H11

    PUMH11/H11

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 5000

  • PHILIPS

  • SOT-363

  • 15+

  • -
  • 百分百原装质量保障

  • PUMH11/H11
    PUMH11/H11

    PUMH11/H11

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

  • PHILIPS

  • SOT-363

  • 2011

  • -
  • 全新原装100%正品保证质量

  • PUMH11/H11
    PUMH11/H11

    PUMH11/H11

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

  • PHILIPS

  • SOT-363

  • 2011

  • -
  • 全新原装100%正品保证质量

  • PUMH11/H11
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  • 北京元坤伟业科技有限公司
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    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

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    资质:营业执照

  • 3000

  • PHILIPS

  • SOT-363

  • 2011

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  • 全新原装100%正品保证质量

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PUMH11/H 技术参数
  • PUMH11,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2):10 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 基本零件编号:MH11 标准包装:1 PUMH10,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250μA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 基本零件编号:P*MH10 标准包装:1 PUMH1,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):22 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2):22 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 基本零件编号:P*MH1 标准包装:1 PUMF12,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:最後搶購 晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V,40V 电阻器 - 基底(R1):22 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,5V / 120 @ 1mA,6V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA / 200mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 频率 - 跃迁:100MHz 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 PUMF11,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V,40V 电阻器 - 基底(R1):22 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,5V / 120 @ 1mA,6V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA / 200mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 频率 - 跃迁:100MHz 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 PUMH19,115 PUMH2,115 PUMH2/DG/B3,115 PUMH20,115 PUMH24,115 PUMH2F PUMH30,115 PUMH4,115 PUMH7,115 PUMH7F PUMH9,115 PUMH9,125 PUMH9,135 PUMH9,165 PUML1,115 PUMS-H25-C20 PUMS-H25-M20 PUMT1,115
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