PUMH11T/R

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说明
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PUMH11T/R
甄芯网
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联系人：柯先生/赵小姐
电话：0755-83665813
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907 门市部：中航路都会电子3C002B
资质：营业执照
483000
NXP
N/A
-
低至：￥0.218[国外订货]

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin TSSOP T/R

PUMH11T/R 技术参数

PUMH11,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:10 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:10 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 基本零件编号:MH11 标准包装:1 PUMH10,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:2.2 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:47 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 基本零件编号:P*MH10 标准包装:1 PUMH1,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:22 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:22 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 基本零件编号:P*MH1 标准包装:1 PUMF12,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:最後搶購晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，40V 电阻器 - 基底（R1）:22 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:47 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V / 120 @ 1mA，6V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:100MHz 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 PUMF11,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，40V 电阻器 - 基底（R1）:22 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:47 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V / 120 @ 1mA，6V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:100MHz 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 PUMH2,115 PUMH2/DG/B3,115 PUMH20,115 PUMH24,115 PUMH2F PUMH30,115 PUMH4,115 PUMH7,115 PUMH7F PUMH9,115 PUMH9,125 PUMH9,135 PUMH9,165 PUML1,115 PUMS-H25-C20 PUMS-H25-M20 PUMT1,115 PUMX1,115