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PVR330D

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  • 北京耐芯威科技有限公司
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    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

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  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
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PVR330D 技术参数
  • PVR100AZ-B5V0,115 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN + 齐纳 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):160 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:550mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SC-73 标准包装:1 PVR100AZ-B3V3,115 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN + 齐纳 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):160 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:550mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SC-73 标准包装:1 PVR100AZ-B3V0,115 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN + 齐纳 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):160 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:550mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SC-73 标准包装:1 PVR100AZ-B2V5,115 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT-223 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN + 齐纳 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):160 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:550mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SC-73 标准包装:1 PVR100AZ-B12V,115 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN + 齐纳 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):160 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:550mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SC-73 标准包装:1 PVS0101B7304 PVS0101GAT PVS0101GC PVS0101GE PVS0101GEX PVS0101GF PVS0101GGP PVS0101GHD PVS0101GOX PVS0101GST PVS0103B3514 PVS0103B3515 PVS0103D3018 PVS0103D3020 PVS0109D72Y PVS0202GAT PVS0202GC PVS0202GE
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