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PZU10B110V

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PZU10B110V 技术参数
  • PZU10B1,115 功能描述:DIODE ZENER 10V 310MW SOD323F 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10V 容差:±2% 功率 - 最大值:310mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-90,SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 基本零件编号:PZU10 标准包装:1 PZU10B,115 功能描述:DIODE ZENER 10V 310MW SOD323F 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10V 容差:±5% 功率 - 最大值:310mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-90,SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 基本零件编号:PZU10 标准包装:1 PZTA92,115 功能描述:TRANS PNP 300V 0.1A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 2mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):25 @ 30mA,10V 功率 - 最大值:1.2W 频率 - 跃迁:50MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 PZTA44-G 功能描述:NPN TRANISTOR 200MA 400V SOT-223 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:新产品 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):750mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 PZTA44,115 功能描述:TRANS NPN 400V 0.3A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):300mA 电压 - 集射极击穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):750mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,10V 功率 - 最大值:1.35W 频率 - 跃迁:20MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 基本零件编号:PZTA44 标准包装:1 PZU11B,115 PZU11B1,115 PZU11B1A,115 PZU11B2,115 PZU11B2A,115 PZU11B2L,315 PZU11B3,115 PZU11B3A,115 PZU11BA,115 PZU11BL,315 PZU11DB2,115 PZU12B,115 PZU12B1,115 PZU12B1A,115 PZU12B2,115 PZU12B2A,115 PZU12B2AZ PZU12B2L,315
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