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RM24C64B-BSNC-B

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  • 深圳市大源实业科技有限公司
    深圳市大源实业科技有限公司

    联系人:李女士

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  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
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    联系人:苗凤军

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    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

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RM24C64B-BSNC-B 技术参数
  • RM24C512C-LTAI-T 功能描述:IC CBRAM 512KBIT 1MHZ 8TSSOP 制造商:adesto technologies 系列:Mavriq? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 格式 - 存储器:CBRAM - 串行 存储器类型:CBRAM 存储容量:512kb(128B 页大小) 速度:100kHz,400kHz,1MHz 接口:I2C,2 线串口 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:1 RM24C512C-LTAI-B 功能描述:IC EEPROM 512KBIT 1MHZ 8TSSOP 制造商:adesto technologies 系列:Mavriq? 包装:管件 零件状态:在售 存储器类型:非易失 存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM 存储容量:512kb(128B 页大小) 时钟频率:1MHz 写周期时间 - 字,页:100μs,5ms 存储器接口:I2C 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:100 RM24C512C-LSNI-T 功能描述:IC CBRAM 512KBIT 1MHZ 8SOIC 制造商:adesto technologies 系列:Mavriq? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 格式 - 存储器:CBRAM - 串行 存储器类型:CBRAM 存储容量:512kb(128B 页大小) 速度:100kHz,400kHz,1MHz 接口:I2C,2 线串口 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 RM24C512C-LSNI-B 功能描述:IC EEPROM 512KBIT 1MHZ 8SOIC 制造商:adesto technologies 系列:Mavriq? 包装:管件 零件状态:在售 存储器类型:非易失 存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM 存储容量:512kb(128B 页大小) 时钟频率:1MHz 写周期时间 - 字,页:100μs,5ms 存储器接口:I2C 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:98 RM24C512C-LMAI-T 功能描述:IC CBRAM 512KBIT 1MHZ 8DFN 制造商:adesto technologies 系列:Mavriq? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 格式 - 存储器:CBRAM - 串行 存储器类型:CBRAM 存储容量:512kb(128B 页大小) 速度:100kHz,400kHz,1MHz 接口:I2C,2 线串口 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UDFN(2x3) 标准包装:1 RM24C64C-LTAI-T RM24C64DS-LMAI-T RM24C64DS-LSNI-B RM24C64DS-LSNI-T RM24C64DS-LTAI-B RM24C64DS-LTAI-T RM24EP128A-BSNC-T RM24EP32B-BSNC-T RM24EP32C-BSNC-T RM24EP64B-BSNC-T RM24EP64C-BSNC-T RM24M9D28 RM24M9E25K RM24M9K RM24TP-31P(71) RM24TP-31S(71) RM24TR-31P(71) RM24TR-31S(71)
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