S2864A150

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S2864A150
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
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09/10+
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假一罚十，百分百原装正品

S2864A150
深圳市芯睿晨科技有限公司
深圳市芯睿晨科技有限公司
联系人：李小姐/肖先生
电话：0755-8257149682571956
地址：赛格广场69楼6900
资质：营业执照
6755
SEIKO
原厂封装
21+
-
★假一赔十!绝对原装现货市场最低价！★

S2864A150
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
SOP28
最新批号
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一级代理.原装特价现货！

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深圳市轩盛达电子有限公司
深圳市轩盛达电子有限公司
联系人：陈
电话：1588932848313924772445
地址：深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103
10000
-
原厂原装现货，代找紧缺料

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您是不是要找： S28AW S28AWF S28B-PHDSS S28B-PHDSS(LF)(SN) S28B-PUDSS-1(LF)(SN) S28S500D15Z S28S500D15ZM S2957 S29AL008J55BFIR10

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S2864A150 技术参数

S27KS0641DPBHV023 功能描述:IC DRAM 64MBIT 1.8V 166MHZ 24BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperRAM? 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應存储器类型:易失存储器格式:DRAM 技术:DRAM 存储容量:64Mb （8M x 8）时钟频率:166MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:40ns 存储器接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA（6x8）标准包装:1 S27KS0641DPBHV020 功能描述:IC DRAM 64MBIT 1.8V 166MHZ 24BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperRAM? 包装:托盘零件状态:在售存储器类型:易失存储器格式:DRAM 技术:DRAM 存储容量:64Mb （8M x 8）时钟频率:166MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:40ns 存储器接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA（6x8）标准包装:338 S27KS0641DPBHI023 功能描述:IC DRAM 64MBIT 1.8V 166MHZ 24BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperRAM? 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應存储器类型:易失存储器格式:DRAM 技术:DRAM 存储容量:64Mb （8M x 8）时钟频率:166MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:40ns 存储器接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA（6x8）标准包装:1 S27KS0641DPBHI020 功能描述:IC DRAM 64MBIT 1.8V 166MHZ 24BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperRAM? 包装:托盘零件状态:在售存储器类型:易失存储器格式:DRAM 技术:DRAM 存储容量:64Mb （8M x 8）时钟频率:166MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:40ns 存储器接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA（6x8）标准包装:338 S27KL0641DABHV020 功能描述:IC DRAM 64MBIT 3V 100MHZ 24BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperRAM? 包装:托盘零件状态:在售格式 - 存储器:RAM 存储器类型:DRAM 存储容量:64M（8M x 8）速度:100MHz 接口:并联电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA（6x8）标准包装:338 S29AL008J55BFIR20 S29AL008J55BFIR22 S29AL008J55BFIR23 S29AL008J55TFAR20 S29AL008J55TFAR23 S29AL008J55TFIR10 S29AL008J55TFIR20 S29AL008J55TFIR23 S29AL008J55TFNR10 S29AL008J55TFNR20 S29AL008J70BAI010 S29AL008J70BAI012 S29AL008J70BAI020 S29AL008J70BAN020 S29AL008J70BFA010 S29AL008J70BFA020 S29AL008J70BFI010 S29AL008J70BFI013