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S29GL032A11FFIS42

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  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

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    电话:0755-23603360832114658325800283223169

    地址:门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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  • 深圳市一线半导体有限公司
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S29GL032A11FFIS42 技术参数
  • S29GL01GT10TFI020 功能描述:IC FLASH 1GBIT 100NS 56TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-T 包装:托盘 零件状态:新产品 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH - NOR 存储容量:1G(128M x 8) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:56-TSOP 标准包装:91 S29GL01GT10TFI010 功能描述:IC FLASH 1GBIT 100NS 56TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-T 包装:托盘 零件状态:新产品 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH - NOR 存储容量:1G(128M x 8) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:56-TSOP 标准包装:91 S29GL01GT10DHI010 功能描述:IC FLASH 1GBIT 100NS 64BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-T 包装:托盘 零件状态:新产品 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH - NOR 存储容量:1G(128M x 8) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(9x9) 标准包装:260 S29GL01GS12TFIV20 功能描述:闪存 1G 3V 120ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S29GL01GS12TFIV10 功能描述:闪存 1G 3V 120ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S29GL032N11FFIS30 S29GL032N11FFIS32 S29GL032N11FFIS33 S29GL032N11FFIS40 S29GL032N11FFIS42 S29GL032N11FFIS43 S29GL032N11FFIV10 S29GL032N11FFIV12 S29GL032N11FFIV13 S29GL032N11FFIV20 S29GL032N11FFIV22 S29GL032N11FFIV23 S29GL032N11TFIV10 S29GL032N11TFIV13 S29GL032N11TFIV20 S29GL032N11TFIV23 S29GL032N11WEI039 S29GL032N90BAI030
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