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S29WS128P10TFI010

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S29WS128P10TFI010
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：史仙雁
电话：19129911934（手机优先微信同号）0755-82813018
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
98000
SAMSUNG
ROHS
1324+
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全新原装现货库存！400-800-030...

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S29WS128P10TFI010 技术参数

S29WS128P0SBFW000 功能描述:闪存 128Mb 1.8V 80Mhz Parallel NOR 闪存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S29WS128P0PBFW003 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:MirrorBit㈢ Flash Family 512/256/128 Mb (32/16/8 M x 16 bit) 1.8 V Burst Simultaneous Read/Write MirrorBit Flash Memory S29WS128P0PBFW000 功能描述:闪存 128Mb 1.8V 66Mhz Parallel NOR 闪存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S29WS128P0PBAW000 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:MirrorBit㈢ Flash Family 512/256/128 Mb (32/16/8 M x 16 bit) 1.8 V Burst Simultaneous Read/Write MirrorBit Flash Memory S29WS064RABBHI010 功能描述:闪存 64Mb 1.8V 108Mhz Parallel NOR 闪存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S29WS512P0SBFW000 S29WS512P0SBFW0002 S29WS512P0SBFW003 S29WS512PABBFW000 S29XS064RABBHI000 S29XS064RABBHI010 S29XS064RABBHW000 S29XS064RABBHW010 S29XS128RABBHI000 S29XS128RABBHW000 S29XS128RABBHW003 S2A S2A M4G S2A R5G S2A/54 S2A/U S2A-13 S2A-13-F