S34ML01G200BHI000全新原装正品

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S34ML01G200BHI000全新原装正品技术参数

S34ML01G200BHI000 功能描述:闪存 1Gb, 3V, 25ns NAND 闪存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S34ML01G200BHA000 功能描述:IC FLASH 1GBIT 25NS 63BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:ML-2 包装:托盘零件状态:在售存储器类型:非易失存储器格式:闪存技术:FLASH - NAND 存储容量:1Gb （128M x 8）写周期时间 - 字，页:25ns 存储器接口:并联电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:63-VFBGA 供应商器件封装:63-BGA（11x9）标准包装:210 S34ML01G100TFI500 功能描述:IC FLASH 1GBIT 25NS 48TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:ML-1 包装:托盘零件状态:在售存储器类型:非易失存储器格式:闪存技术:FLASH - NAND 存储容量:1Gb （128M x 8）写周期时间 - 字，页:25ns 存储器接口:并联电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商器件封装:48-TSOP I 标准包装:96 S34ML01G100TFI003 功能描述:闪存 1Gb 3V 25ns NAND 闪存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S34ML01G100TFI000 功能描述:闪存 1Gb 3V 25ns NAND 闪存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S34ML01G200TFA000 S34ML01G200TFA003 S34ML01G200TFB000 S34ML01G200TFB003 S34ML01G200TFI000 S34ML01G200TFI003 S34ML01G200TFI500 S34ML01G200TFI503 S34ML01G200TFI900 S34ML01G200TFI903 S34ML01G200TFV000 S34ML01G200TFV003 S34ML01G204TFA010 S34ML01G204TFA013 S34ML01G204TFI010 S34ML01G204TFI013 S34ML02G100BHA000 S34ML02G100BHA003