SCH2830-TL-E

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封装
批号
价格
说明
操作

SCH2830-TL-E
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
15000
SANYO
SCH6
2013+rohs
-
全新原装现货

SCH2830-TL-E
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
SANYO Semiconductor (U.S.
6-SCH
17+
-
全新原装现货

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您是不是要找： SCH-2-H SCH2-Q SCH3/0-X SCH300-X SCH307NR SCH3106-NU SCH3112I-NU SCH3112-NU SCH3114I-NU

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功能描述
MOSFET P-CH/DIODE SCHOTTKY SCH6
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列
-
标准包装
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FP
包装
管件

SCH2830-TL-E 技术参数

SCH2825-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.6A SCH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:二极管（隔离式）漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.6A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 800mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:88pF @ 10V 功率 - 最大值:600mW 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-SMD，扁平引线供应商器件封装:6-SCH 标准包装:1 SCH250R 功能描述:AC, DC Buzzer Single Tone 2.9kHz Piezo 60 ~ 250V 80dB @ 60V, 61cm 制造商:mallory sonalert products inc. 系列:SCH 包装:散装零件状态:有效驱动器电路:指示灯，内部驱动输入类型:AC，DC 电压 - 额定:- 电压范围:60 ~ 250V 频率:2.9kHz 技术:压电工作模式:单音调持续时间:- 声压级:80dB @ 60V，61cm 电流 - 电源:5 ~ 18mA 端口位置:顶部工作温度:-30°C ~ 65°C 认可:CSA，cUL，UL 等级:IP66，NEMA 3R，4X，12 安装类型:面板安装端接:螺钉端子大小/尺寸:42.9mm 直径 x 33.8mm 高高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 SCH2201-TL-E 功能描述:TRANS 2NPN 15V 0.8A 6SCH 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:2 NPN（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:280mV @ 20mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:400mW 频率 - 跃迁:440MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-SMD，扁平引线供应商器件封装:6-SCH 标准包装:1 SCH2102-TL-E 功能描述:TRANS 2PNP 12V 0.5A 6SCH 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:2 PNP（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 10mA，2V 功率 - 最大值:400mW 频率 - 跃迁:490MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-SMD，扁平引线供应商器件封装:6-SCH 标准包装:1 SCH1302-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2A SCH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:165 毫欧 @ 1A，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:410pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-SMD，扁平引线供应商器件封装:6-SCH 标准包装:1 SCH3114-NU SCH3116I-NU SCH3116-NU SCH3221-7U SCH3221-7U-TR SCH3221I-7U SCH3221I-7U-TR SCH3222I-SX SCH3222I-SX-TR SCH3222-SX SCH3222-SX-TR SCH3223-7U SCH3223-7U-TR SCH3223I-7U SCH3223I-7U-TR SCH3224I-SY SCH3224I-SY-TR SCH3224-SY